| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| ·稀磁半导体的研究现状 | 第8-16页 |
| ·基于ZnO的DMS的研究现状 | 第9-10页 |
| ·基于GaAs的DMS的研究现状 | 第10-12页 |
| ·基于GaN的DMS的研究现状 | 第12-16页 |
| ·本文的研究目的和主要内容 | 第16-18页 |
| 第二章 基本理论及计算方法 | 第18-31页 |
| ·第一性原理的定义 | 第18页 |
| ·绝热近似 | 第18-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-25页 |
| ·密度泛函理论的基础——Hohenberg—Kohn定理 | 第21-22页 |
| ·单电子化:Kohn—Sham方程 | 第22-24页 |
| ·局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第24-25页 |
| ·自洽场计算 | 第25-26页 |
| ·平面波赝势方法 | 第26-27页 |
| ·周期性边界条件 | 第27-29页 |
| ·Bloch定理与波函数的平面波展开 | 第27-28页 |
| ·布里渊区石点的选取 | 第28-29页 |
| ·结构优化 | 第29-31页 |
| 第三章 稀磁半导体GaN:Mn(1010)第一性原理研究 | 第31-50页 |
| ·模型构建和计算参数选择 | 第31-32页 |
| ·模型构建 | 第31-32页 |
| ·计算参数选择 | 第32页 |
| ·未掺杂的GaN(1010)薄膜 | 第32-38页 |
| ·几何结构 | 第32-34页 |
| ·电子结构 | 第34-38页 |
| ·掺Mn的GaN(1010)薄膜 | 第38-42页 |
| ·几何结构 | 第38-39页 |
| ·形成能 | 第39-40页 |
| ·电子结构 | 第40-42页 |
| ·GaN:Mn(1010)薄膜的磁性 | 第42-48页 |
| ·基态磁结构 | 第43-44页 |
| ·缺陷形成能和配对能 | 第44-45页 |
| ·电子结构 | 第45-48页 |
| ·总结 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |