| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 GaN材料基本性质 | 第10-13页 |
| 1.1.1 GaN晶体结构特性 | 第10-12页 |
| 1.1.2 GaN化学性质 | 第12页 |
| 1.1.3 GaN光学性质 | 第12-13页 |
| 1.1.4 GaN电学性质 | 第13页 |
| 1.2 GaN薄膜制备技术 | 第13-17页 |
| 1.2.1 金属有机物化学气相沉积 | 第13-14页 |
| 1.2.2 分子束外延 | 第14-15页 |
| 1.2.3 氢化物气相外延 | 第15-16页 |
| 1.2.4 脉冲激光沉积 | 第16-17页 |
| 1.3 GaN薄膜生长衬底选择及存在问题 | 第17-19页 |
| 1.3.1 α-Al_2O_3衬底 | 第17页 |
| 1.3.2 Si衬底 | 第17-18页 |
| 1.3.3 SiC衬底 | 第18页 |
| 1.3.4 玻璃衬底 | 第18页 |
| 1.3.5 金属Ni衬底 | 第18-19页 |
| 1.4 本文研究内容及意义 | 第19-21页 |
| 2 实验设备与表征方法 | 第21-30页 |
| 2.1 实验设备 | 第21-23页 |
| 2.1.1 电子回旋共振(ECR)等离子体技术 | 第21-22页 |
| 2.1.2 ECR-PEMOCVD设备 | 第22-23页 |
| 2.2 薄膜表征方法 | 第23-30页 |
| 2.2.1 薄膜结构分析 | 第23-26页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌的表征 | 第26-28页 |
| 2.2.3 薄膜的光学性能表征 | 第28-29页 |
| 2.2.4 薄膜电学测试原理及相关理论 | 第29-30页 |
| 3 氮化时间对GaN薄膜性能的影响 | 第30-35页 |
| 3.1 实验过程 | 第30页 |
| 3.2 不同氮化时间生长GaN薄膜的表征与分析 | 第30-34页 |
| 3.2.1 RHEED表征结果与分析 | 第30-32页 |
| 3.2.2 XRD表征结果与分析 | 第32-33页 |
| 3.2.3 SEM表征结果与分析 | 第33页 |
| 3.2.4 PL谱表征结果与分析 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 沉积温度对GaN薄膜性能的影响 | 第35-41页 |
| 4.1 实验过程 | 第35页 |
| 4.2 不同沉积温度生长GaN薄膜的表征与分析 | 第35-40页 |
| 4.2.1 RHEED表征结果与分析 | 第35页 |
| 4.2.2 XRD表征结果与分析 | 第35-37页 |
| 4.2.3 AFM表征结果与分析 | 第37-38页 |
| 4.2.4 PL谱表征结果与分析 | 第38-39页 |
| 4.2.5 I-V表征结果与分析 | 第39-40页 |
| 4.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 5 TMGa流量对GaN薄膜性能的影响 | 第41-47页 |
| 5.1 实验过程 | 第41页 |
| 5.2 不同TMGa流量生长GaN薄膜的表征与分析 | 第41-46页 |
| 5.2.1 RHEED表征结果与分析 | 第41页 |
| 5.2.2 XRD表征结果与分析 | 第41-43页 |
| 5.2.3 AFM表征结果与分析 | 第43-44页 |
| 5.2.4 PL谱表征结果与分析 | 第44-46页 |
| 5.2.5 I-V表征结果与分析 | 第46页 |
| 5.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 6 结论与展望 | 第47-49页 |
| 6.1 结论 | 第47-48页 |
| 6.2 展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |