| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 课题背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 CAM简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 CAM基本结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 CAM匹配线功耗模型 | 第11页 |
| 1.3 软错误简介 | 第11-12页 |
| 1.4 课题国内外研究现状 | 第12-19页 |
| 1.4.1 匹配线结构的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4.2 CAM抗软错误的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.5 论文研究内容及结构安排 | 第19-20页 |
| 2 采用汉明编码及下匹配线敏感结构的CAM抗软错误方案 | 第20-38页 |
| 2.1 HE-SM方案的总体结构 | 第20-21页 |
| 2.2 CAM单元的设计 | 第21-24页 |
| 2.3 基于电荷重利用的下匹配线敏感方案 | 第24-26页 |
| 2.3.1 电平移位器结构 | 第24页 |
| 2.3.2 敏感放大器结构 | 第24-25页 |
| 2.3.3 下匹配线敏感方案的工作原理 | 第25-26页 |
| 2.3.4 下匹配线敏感方案的特点 | 第26页 |
| 2.4 汉明编码的设计 | 第26-31页 |
| 2.4.1 汉明码简介 | 第26-28页 |
| 2.4.2 汉明编码器的设计 | 第28-31页 |
| 2.5 抗一位软错误功能的电路实现 | 第31-33页 |
| 2.6 随机数产生电路的设计 | 第33-35页 |
| 2.7 地址译码器的设计 | 第35-38页 |
| 3 HE-SM方案的功能仿真及性能分析 | 第38-56页 |
| 3.1 HE-SM方案无软错误功能仿真及性能分析 | 第38-47页 |
| 3.1.1 地址译码器的功能验证 | 第38页 |
| 3.1.2 随机数产生电路的功能验证 | 第38-40页 |
| 3.1.3 汉明编码器的功能验证及性能分析 | 第40-41页 |
| 3.1.4 CAM的写入操作验证 | 第41-43页 |
| 3.1.5 CAM搜索功能验证及性能分析 | 第43-45页 |
| 3.1.6 工艺偏差分析 | 第45-47页 |
| 3.2 HE-SM方案抗软错误功能仿真及性能分析 | 第47-52页 |
| 3.2.1 增强抗软错误电路稳定性的SA参数调整方法 | 第47-48页 |
| 3.2.2 CAM抗软错误的功能验证 | 第48-51页 |
| 3.2.3 抗软错误电路工艺偏差分析 | 第51-52页 |
| 3.3 本方案与Kostas抗软错误方案的性能比较 | 第52-56页 |
| 4 HE-SM方案的版图设计及版图后仿真 | 第56-61页 |
| 4.1 HE-SM方案的版图设计 | 第56-58页 |
| 4.2 HE-SM方案的版图后仿真 | 第58-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
