摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第8-11页 |
第1章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 稀散金属镓的概况 | 第11-14页 |
1.1.1 镓的性质概述 | 第11页 |
1.1.2 镓资源的分布情况 | 第11-12页 |
1.1.3 镓的产品及用途 | 第12-14页 |
1.2 金属镓提纯的主要方法及研究现状 | 第14-18页 |
1.2.1 电解精炼法 | 第15-16页 |
1.2.2 真空精炼法 | 第16-17页 |
1.2.3 化学处理法 | 第17页 |
1.2.4 三氯化镓法 | 第17页 |
1.2.5 有机化合物热分解法 | 第17-18页 |
1.2.6 结晶法 | 第18页 |
1.2.7 联合法 | 第18页 |
1.3 结晶法提纯镓及其研究现状 | 第18-22页 |
1.3.1 部分结晶法 | 第18-19页 |
1.3.2 定向结晶法 | 第19-20页 |
1.3.3 区域熔炼法 | 第20页 |
1.3.4 拉单晶法 | 第20-21页 |
1.3.5 其他结晶法 | 第21-22页 |
1.3.6 结晶法提纯镓的方法比较 | 第22页 |
1.4 金属镓提纯方法的比较 | 第22-23页 |
1.5 本课题的研究背景与研究内容 | 第23-25页 |
1.5.1 本课题研究背景 | 第23-24页 |
1.5.2 研究内容 | 第24-25页 |
第2章 实验原料及方案 | 第25-31页 |
2.1 实验原料 | 第25页 |
2.2 实验试剂及设备 | 第25-27页 |
2.2.1 实验试剂 | 第25-26页 |
2.2.2 实验设备 | 第26-27页 |
2.3 实验分析方法 | 第27-28页 |
2.3.1 镓晶体生长分析测量 | 第27页 |
2.3.2 金属镓中杂质含量的测量 | 第27-28页 |
2.4 实验步骤 | 第28-29页 |
2.4.1 晶体生长实验步骤 | 第28页 |
2.4.2 结晶提纯条件实验步骤 | 第28-29页 |
2.5 实验研究方案 | 第29-31页 |
第3章 结晶器设计与晶体生长的实验研究 | 第31-53页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 金属结晶凝固理论 | 第31-35页 |
3.3 结晶提纯装置的设计 | 第35-38页 |
3.3.1 结晶器的材质选择 | 第35-36页 |
3.3.2 结晶器装置的结构设计 | 第36-37页 |
3.3.3 温度场的控制 | 第37-38页 |
3.4 不同结晶器结晶生长实验研究 | 第38-50页 |
3.4.1 内径40mm的结晶器晶体生长实验的结果 | 第38-41页 |
3.4.2 内径50mm的结晶器晶体生长实验的结果 | 第41-44页 |
3.4.3 内径60mm的结晶器晶体生长实验的结果 | 第44-47页 |
3.4.4 结果对比及分析 | 第47-50页 |
3.5 晶种引入的研究 | 第50-51页 |
3.5.1 实验内容 | 第50页 |
3.5.2 晶种引入效果的对比分析 | 第50-51页 |
3.6 本章小结 | 第51-53页 |
第4章 结晶提纯条件实验的研究 | 第53-79页 |
4.1 引言 | 第53页 |
4.2 结晶法提纯的理论基础 | 第53-59页 |
4.2.1 结晶法提纯的相平衡原理 | 第53-56页 |
4.2.2 结晶法提纯的理论判据 | 第56-59页 |
4.3 结晶时间对单次结晶提纯的影响 | 第59-64页 |
4.3.1 60mm平底结晶器杂质元素检测结果及分析 | 第59-62页 |
4.3.2 60mm圆底结晶器杂质元素检测结果及分析 | 第62-64页 |
4.4 结晶器冷端温度对单次结晶提纯的影响 | 第64-69页 |
4.4.1 60mm平底结晶器杂质元素检测结果及分析 | 第65-67页 |
4.4.2 60mm圆底结晶器杂质元素检测结果及分析 | 第67-69页 |
4.5 晶体结晶形貌的研究 | 第69-75页 |
4.5.1 结晶温度对Ga晶体形貌的影响 | 第69-71页 |
4.5.2 结晶时间对Ga晶体形貌的影响 | 第71-73页 |
4.5.3 晶体结晶形貌的理论分析 | 第73-75页 |
4.6 结晶次数对提纯效果的影响 | 第75-78页 |
4.6.1 实验内容 | 第75-76页 |
4.6.2 实验结果与分析 | 第76-78页 |
4.7 本章小结 | 第78-79页 |
第5章 结论 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-85页 |
致谢 | 第85页 |