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结晶法提纯金属镓的工艺及理论研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
目录第8-11页
第1章 绪论第11-25页
    1.1 稀散金属镓的概况第11-14页
        1.1.1 镓的性质概述第11页
        1.1.2 镓资源的分布情况第11-12页
        1.1.3 镓的产品及用途第12-14页
    1.2 金属镓提纯的主要方法及研究现状第14-18页
        1.2.1 电解精炼法第15-16页
        1.2.2 真空精炼法第16-17页
        1.2.3 化学处理法第17页
        1.2.4 三氯化镓法第17页
        1.2.5 有机化合物热分解法第17-18页
        1.2.6 结晶法第18页
        1.2.7 联合法第18页
    1.3 结晶法提纯镓及其研究现状第18-22页
        1.3.1 部分结晶法第18-19页
        1.3.2 定向结晶法第19-20页
        1.3.3 区域熔炼法第20页
        1.3.4 拉单晶法第20-21页
        1.3.5 其他结晶法第21-22页
        1.3.6 结晶法提纯镓的方法比较第22页
    1.4 金属镓提纯方法的比较第22-23页
    1.5 本课题的研究背景与研究内容第23-25页
        1.5.1 本课题研究背景第23-24页
        1.5.2 研究内容第24-25页
第2章 实验原料及方案第25-31页
    2.1 实验原料第25页
    2.2 实验试剂及设备第25-27页
        2.2.1 实验试剂第25-26页
        2.2.2 实验设备第26-27页
    2.3 实验分析方法第27-28页
        2.3.1 镓晶体生长分析测量第27页
        2.3.2 金属镓中杂质含量的测量第27-28页
    2.4 实验步骤第28-29页
        2.4.1 晶体生长实验步骤第28页
        2.4.2 结晶提纯条件实验步骤第28-29页
    2.5 实验研究方案第29-31页
第3章 结晶器设计与晶体生长的实验研究第31-53页
    3.1 引言第31页
    3.2 金属结晶凝固理论第31-35页
    3.3 结晶提纯装置的设计第35-38页
        3.3.1 结晶器的材质选择第35-36页
        3.3.2 结晶器装置的结构设计第36-37页
        3.3.3 温度场的控制第37-38页
    3.4 不同结晶器结晶生长实验研究第38-50页
        3.4.1 内径40mm的结晶器晶体生长实验的结果第38-41页
        3.4.2 内径50mm的结晶器晶体生长实验的结果第41-44页
        3.4.3 内径60mm的结晶器晶体生长实验的结果第44-47页
        3.4.4 结果对比及分析第47-50页
    3.5 晶种引入的研究第50-51页
        3.5.1 实验内容第50页
        3.5.2 晶种引入效果的对比分析第50-51页
    3.6 本章小结第51-53页
第4章 结晶提纯条件实验的研究第53-79页
    4.1 引言第53页
    4.2 结晶法提纯的理论基础第53-59页
        4.2.1 结晶法提纯的相平衡原理第53-56页
        4.2.2 结晶法提纯的理论判据第56-59页
    4.3 结晶时间对单次结晶提纯的影响第59-64页
        4.3.1 60mm平底结晶器杂质元素检测结果及分析第59-62页
        4.3.2 60mm圆底结晶器杂质元素检测结果及分析第62-64页
    4.4 结晶器冷端温度对单次结晶提纯的影响第64-69页
        4.4.1 60mm平底结晶器杂质元素检测结果及分析第65-67页
        4.4.2 60mm圆底结晶器杂质元素检测结果及分析第67-69页
    4.5 晶体结晶形貌的研究第69-75页
        4.5.1 结晶温度对Ga晶体形貌的影响第69-71页
        4.5.2 结晶时间对Ga晶体形貌的影响第71-73页
        4.5.3 晶体结晶形貌的理论分析第73-75页
    4.6 结晶次数对提纯效果的影响第75-78页
        4.6.1 实验内容第75-76页
        4.6.2 实验结果与分析第76-78页
    4.7 本章小结第78-79页
第5章 结论第79-80页
参考文献第80-85页
致谢第85页

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