| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 我国造纸行业的发展现状 | 第10-11页 |
| 1.2 填料在造纸中的应用 | 第11-14页 |
| 1.2.1 加填的作用 | 第11-12页 |
| 1.2.2 造纸填料的种类及选用原则 | 第12-14页 |
| 1.3 填料改性技术研究进展 | 第14-17页 |
| 1.3.1 预絮聚改性技术 | 第15-16页 |
| 1.3.2 基于聚糖化合物或衍生物表面包覆的填料改性技术 | 第16-17页 |
| 1.3.3 其他填料改性与处理技术 | 第17页 |
| 1.4 合成硅酸钙的研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 研究目的、意义与研究内容 | 第19-22页 |
| 1.5.1 研究目的及意义 | 第19-20页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第20页 |
| 1.5.3 论文的创新点 | 第20-22页 |
| 第二章 合成硅酸钙填料性能及应用分析 | 第22-33页 |
| 2.1 前言 | 第22页 |
| 2.2 实验原料及方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第22页 |
| 2.2.2 仪器与设备 | 第22-23页 |
| 2.2.3 实验方法 | 第23-25页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第25-32页 |
| 2.4 小结 | 第32-33页 |
| 第三章 阳离子淀粉预絮聚合成硅酸钙的工艺研究 | 第33-56页 |
| 3.1 前言 | 第33-34页 |
| 3.2 实验原料 | 第34页 |
| 3.3 仪器与设备 | 第34页 |
| 3.4 实验方法 | 第34-36页 |
| 3.4.1 阳离子淀粉的糊化 | 第34-35页 |
| 3.4.2 合成CaSiO_3预絮聚 | 第35页 |
| 3.4.3 填料粒径测量和跨距计算 | 第35页 |
| 3.4.4 CS预絮聚合成CaSiO_3填料抗剪切性能的测定 | 第35页 |
| 3.4.5 合成CaSiO_3填料留着率的测定 | 第35-36页 |
| 3.4.6 纸料的制备与纸张的抄造 | 第36页 |
| 3.4.7 纸张性能的检测 | 第36页 |
| 3.4.8 预絮聚合成CaSiO_3的微观形貌分析 | 第36页 |
| 3.5 结果与讨论 | 第36-55页 |
| 3.5.1 阳离子淀粉用量对CaSiO_3预絮聚的影响 | 第36-39页 |
| 3.5.2 体系固含量对合成CaSiO_3预絮聚的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.3 反应温度对合成CaSiO_3预絮聚的影响 | 第41-43页 |
| 3.5.4 搅拌速度对合成CaSiO_3预絮聚的影响 | 第43-45页 |
| 3.5.5 反应时间对合成CaSiO_3预絮聚的影响 | 第45-47页 |
| 3.5.6 阳离子淀粉预絮聚合成CaSiO_3填料的正交优化实验 | 第47-50页 |
| 3.5.7 预絮聚合成CaSiO_3的形貌分析 | 第50-53页 |
| 3.5.8 阳离子淀粉预絮聚体粒径及其电荷特性 | 第53-54页 |
| 3.5.9 剪切速度对预絮聚体粒径的影响 | 第54-55页 |
| 3.6 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 预絮聚改性合成硅酸钙加填性能研究 | 第56-67页 |
| 4.1 前言 | 第56页 |
| 4.2 实验原料 | 第56-57页 |
| 4.3 仪器与设备 | 第57页 |
| 4.4 实验方法 | 第57-58页 |
| 4.4.1 阳离子淀粉的糊化 | 第57页 |
| 4.4.2 预絮聚合成CaSiO_3的制备 | 第57-58页 |
| 4.4.3 纸张的抄造 | 第58页 |
| 4.4.4 预絮聚合成CaSiO_3填料留着率的测定 | 第58页 |
| 4.4.5 加填纸张性能的测定 | 第58页 |
| 4.5 结果与讨论 | 第58-66页 |
| 4.5.1 预絮聚对合成CaSiO_3加填留着率的影响 | 第58-60页 |
| 4.5.2 预絮聚对合成CaSiO_3加填纸张强度性能的影响 | 第60-62页 |
| 4.5.3 预絮聚对合成CaSiO_3加填纸张吸水性能的影响 | 第62-63页 |
| 4.5.4 预絮聚对合成CaSiO_3加填纸张光学性能的影响 | 第63-64页 |
| 4.5.5 预絮聚加填纸张微观形貌分析 | 第64-65页 |
| 4.5.6 体系中淀粉对加填纸张强度性能的影响分析 | 第65-66页 |
| 4.6 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 主要结论 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
