| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 几种非易失性存储器比较 | 第11-14页 |
| 1.3 nvSRAM研究现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第16页 |
| 1.5 论文整体架构 | 第16-17页 |
| 第2章 nvSRAM原理及RRAM模型仿真 | 第17-27页 |
| 2.1 SRAM整体结构 | 第17-18页 |
| 2.2 SRAM工作原理 | 第18-19页 |
| 2.2.1 单元写操作 | 第18-19页 |
| 2.2.2 单元数据读出 | 第19页 |
| 2.2.3 单元数据保持 | 第19页 |
| 2.3 RRAM工作原理及模型仿真验证 | 第19-23页 |
| 2.3.1 RRAM工作原理分析 | 第19-20页 |
| 2.3.2 RRAM模型 | 第20-21页 |
| 2.3.3 RRAM模型仿真验证 | 第21-23页 |
| 2.4 nvSRAM基本原理 | 第23-26页 |
| 2.4.1 nvSRAM原理 | 第23-24页 |
| 2.4.2 nvSRAM操作算法 | 第24-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 改进型nvSRAM结构 | 第27-37页 |
| 3.1 非对称理念 | 第27-28页 |
| 3.2 几种非对称nvSRAM结构分析 | 第28-33页 |
| 3.2.1 调节尾管尺寸 | 第29-31页 |
| 3.2.2 增加下拉尾管8T1R nvSRAM结构 | 第31-33页 |
| 3.3 非易失平均7T1R nvSRAM | 第33-36页 |
| 3.3.1 原理及分析 | 第33-34页 |
| 3.3.2 时序仿真 | 第34-35页 |
| 3.3.3 非易失平均7T1R阵列 | 第35-36页 |
| 3.4 版图 | 第36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 nvSRAM单元仿真分析 | 第37-48页 |
| 4.1 基本性能衡量 | 第37-42页 |
| 4.1.1 单元保持能力 | 第37-39页 |
| 4.1.2 单元写能力 | 第39-40页 |
| 4.1.3 单元读能力 | 第40-42页 |
| 4.2 恢复速度及功耗 | 第42-45页 |
| 4.2.1 恢复速度 | 第42-43页 |
| 4.2.2 恢复功耗 | 第43-45页 |
| 4.3 静态保持功耗仿真对比 | 第45-46页 |
| 4.4 nvSRAM单元对比 | 第46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 5.1 总结 | 第48页 |
| 5.2 展望 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 图表目录 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |