| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-24页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 二硫化钼的结构与性质 | 第7-10页 |
| 1.3 二硫化钼的制备方法 | 第10-18页 |
| 1.4 二硫化钼在电子器件上的应用 | 第18-23页 |
| 1.5 选题意义和主要内容 | 第23-24页 |
| 2 二硫化钼薄膜的制备 | 第24-40页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验材料和仪器以及表征手段 | 第24-27页 |
| 2.3 二硫化钼薄膜制备流程 | 第27-29页 |
| 2.4 不同生长条件对二硫化钼薄膜的影响 | 第29-35页 |
| 2.5 改进实验方法获得大面积二硫化钼薄膜 | 第35-37页 |
| 2.6 二硫化钼薄膜的表征 | 第37-38页 |
| 2.7 本章小结 | 第38-40页 |
| 3 二硫化钼的光电器件研究 | 第40-59页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 实验材料和仪器 | 第40-41页 |
| 3.3 二硫化钼场效应晶体管 | 第41-50页 |
| 3.4 二硫化钼光电探测器 | 第50-58页 |
| 3.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 4 总结与展望 | 第59-60页 |
| 4.1 总结 | 第59页 |
| 4.2 展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第68页 |