| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1. 引言 | 第12-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文研究内容 | 第14-15页 |
| 2. 正电子湮没谱学 | 第15-33页 |
| 2.1 正电子的发现 | 第15-16页 |
| 2.2 正电子的湮没特性 | 第16-19页 |
| 2.2.1 正电子与物质相互作用 | 第16-17页 |
| 2.2.2 自由正电子湮没 | 第17-18页 |
| 2.2.3 正电子捕获湮没 | 第18页 |
| 2.2.4 正电子素湮没 | 第18-19页 |
| 2.3 正电子谱学技术 | 第19-31页 |
| 2.3.1 正电子源 | 第20-21页 |
| 2.3.2 正电子湮没寿命谱 | 第21-24页 |
| 2.3.3 正电子湮没一维多普勒展宽谱 | 第24-25页 |
| 2.3.4 符合多普勒展宽能谱 | 第25-28页 |
| 2.3.5 正电子湮没角关联谱 | 第28-29页 |
| 2.3.6 正电子寿命-动量关联谱 | 第29-31页 |
| 2.4 正电子谱学的特点及应用 | 第31-33页 |
| 2.4.1 正电子谱学的特点 | 第31-32页 |
| 2.4.2 正电子谱学的主要应用领域 | 第32-33页 |
| 3. 正电子湮没寿命谱仪的研制及调试 | 第33-59页 |
| 3.1 不同符合类型的谱仪简介 | 第33-37页 |
| 3.1.1 快-慢符合正电子湮没寿命谱 | 第33-34页 |
| 3.1.2 快-快符合正电子湮没寿命谱 | 第34-35页 |
| 3.1.3 双停止道正电子寿命谱仪 | 第35-37页 |
| 3.2 高时间分辨率Ba F2闪烁体探测器的研制 | 第37-48页 |
| 3.2.1 探测器所需电子元器件和相关工具的准备 | 第37-42页 |
| 3.2.2 分压电路图 | 第42-45页 |
| 3.2.3 封装晶体 | 第45-46页 |
| 3.2.4 测试探测器性能并记录原始数据 | 第46-48页 |
| 3.3 正电子湮没谱仪专用放大器的研制 | 第48-51页 |
| 3.3.1 研制谱仪专用放大器的必要性 | 第48-50页 |
| 3.3.2 专用放大器的特点 | 第50页 |
| 3.3.3 专用放大器的电路原理图 | 第50-51页 |
| 3.4 正电子湮没寿命谱仪调试 | 第51-58页 |
| 3.4.1 示波器观测法 | 第51-52页 |
| 3.4.2 能窗选择法 | 第52-55页 |
| 3.4.3 整机调试 | 第55-58页 |
| 3.5 小结 | 第58-59页 |
| 4. 用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜 | 第59-66页 |
| 4.1 样品制备 | 第59-60页 |
| 4.1.1 材料准备 | 第59页 |
| 4.1.2 制备和纯化MIL-101(Cr) | 第59-60页 |
| 4.1.3 杂化膜的制备 | 第60页 |
| 4.2 样品表征 | 第60-61页 |
| 4.2.1 正电子湮没寿命谱测量 | 第60页 |
| 4.2.2 符合多普勒展宽能谱测量 | 第60-61页 |
| 4.3 结果与分析 | 第61-64页 |
| 4.3.1 正电子湮没寿命谱结果 | 第61-62页 |
| 4.3.2 正电子湮没符合多普勒展宽结果 | 第62-64页 |
| 4.4 小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 附录 | 第74-76页 |