摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第15-51页 |
第一节 引言 | 第15-16页 |
第二节 颗粒膜 | 第16-23页 |
1 颗粒膜的定义 | 第16-17页 |
2 颗粒膜的逾渗行为 | 第17-20页 |
3 颗粒膜的研究现状与应用价值 | 第20-23页 |
第三节 交换偏置效应 | 第23-43页 |
1 交换偏置效应的基本现象 | 第23-24页 |
2 交换偏置效应的基本物理过程与分类 | 第24-28页 |
3 与交换偏置效应相关的几个因素 | 第28-34页 |
(1) 温度 | 第28-29页 |
(2) 铁磁层厚度 | 第29-30页 |
(3) 反铁磁层厚度 | 第30-31页 |
(4) 补偿和未补偿反铁磁界面 | 第31-32页 |
(5) 冷却场 | 第32-33页 |
(6) 界面粗糙度和晶粒尺寸 | 第33-34页 |
4 与交换偏置效应相关的几个现象 | 第34-38页 |
(1) 锻炼效应 | 第34-35页 |
(2) 矫顽力 | 第35-36页 |
(3) 稀释 | 第36-38页 |
5 交换偏置的理论模型 | 第38-42页 |
(1) 早期的直观模型 | 第38-41页 |
(2) 理论模型的进一步发展 | 第41-42页 |
6 交换偏置的研究现状及应用 | 第42-43页 |
第四节 磁光效应 | 第43-45页 |
1 磁光效应的定义 | 第43页 |
2 克尔(Kerr)效应的分类 | 第43-44页 |
3 4×4矩阵法介绍 | 第44-45页 |
第五节 本文的内容安排 | 第45-47页 |
参考文献 | 第47-51页 |
第二章 样品的制备与表征 | 第51-69页 |
第一节 射频磁控溅射法 | 第51-52页 |
1 射频磁控溅射装置的基本构成 | 第51-52页 |
2 复合靶制备 | 第52页 |
第二节 结构表征手段 | 第52-68页 |
1 X射线能量色散谱 | 第52-53页 |
2 四端法测量电阻 | 第53页 |
3 扫描探针显微术 | 第53-54页 |
4 透射电子显微镜 | 第54-55页 |
5 振动样品磁强计 | 第55页 |
6 超导量子干涉仪 | 第55-57页 |
7 x射线磁性圆二色性实验 | 第57-68页 |
(1) XMCD测试技术的优越性 | 第57页 |
(2) XMCD测试技术的发展历史 | 第57-58页 |
(3) XMCD实验原理 | 第58-65页 |
(4) XMCD实验装置 | 第65-66页 |
(5) XMCD测试技术的应用 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-69页 |
第三章 (Co/CoO)-MgO颗粒膜中的交换偏置效应的研究 | 第69-87页 |
第一节 引言 | 第69-70页 |
第二节 实验部分 | 第70-71页 |
1 样品的制备 | 第70页 |
2 样品的表征 | 第70-71页 |
第三节 结果与讨论 | 第71-81页 |
1 样品的形貌及微结构 | 第71-72页 |
2 样品的电阻 | 第72-73页 |
3 样品的磁性 | 第73-76页 |
4 样品中的反铁磁稀释效应 | 第76-77页 |
5 XMCD测试及其结果分析 | 第77-81页 |
第四节 本章小结 | 第81-83页 |
参考文献 | 第83-87页 |
第四章 (Co/CoO)-MgO颗粒膜中的巨矫顽力研究 | 第87-100页 |
第一节 引言 | 第87-88页 |
第二节 测试结果与讨论 | 第88-97页 |
1 (Co/CoO)-MgO颗粒膜样品的渗流阈值 | 第88-89页 |
2 (Co/CoO)-MgO颗粒膜样品的微观结构 | 第89-90页 |
3 (Co/CoO)-MgO颗粒膜样品的表面形貌和磁畴 | 第90-91页 |
4 (Co/CoO)-MgO颗粒膜样品的磁性测量和结果分析 | 第91-97页 |
第三节 本章小结 | 第97-98页 |
参考文献 | 第98-100页 |
第五章 (Co/CoO)-MgO颗粒膜的克尔效应研究 | 第100-109页 |
第一节 引言 | 第100-101页 |
第二节 实验部分 | 第101页 |
第三节 样品表征与结果讨论 | 第101-107页 |
1 样品的形貌和微结构 | 第101-102页 |
2 磁光纵克尔角与入射波长关系研究 | 第102-104页 |
3 以4×4矩阵法与洋葱模型拟合实验曲线 | 第104-105页 |
4 磁光纵克尔角与钴含量关系研究 | 第105-107页 |
第四节 本章小结 | 第107-108页 |
参考文献 | 第108-109页 |
第六章 全文工作总结 | 第109-112页 |
攻读博士期间发表或待发表的论文 | 第112-113页 |
致谢 | 第113-114页 |