| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 半导体存储器 | 第13-21页 |
| 1.2.1 传统的半导体存储器 | 第14-16页 |
| 1.2.2 阻变随机存储器简介 | 第16-18页 |
| 1.2.3 阻变存储器工作原理 | 第18-21页 |
| 1.3 高密度存储阵列中的串扰效应 | 第21-22页 |
| 1.4 辐射损伤及阻变单元的空间应用 | 第22-27页 |
| 1.4.1 辐射效应对材料的损伤 | 第23-24页 |
| 1.4.2 阻变单元的总剂量效应 | 第24-27页 |
| 1.5 选题依据和研究内容 | 第27-30页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第27-28页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第28-30页 |
| 第2章 Pt/Cu_2O/FTO单元的防串扰特性 | 第30-50页 |
| 2.1 引言 | 第30-32页 |
| 2.2 Pt/Cu_2O/FTO单元的制备 | 第32-35页 |
| 2.3 Cu_2O薄膜的表征 | 第35-39页 |
| 2.3.1 结构表征 | 第35-36页 |
| 2.3.2 价态分析 | 第36-39页 |
| 2.4 Pt/Cu_2O/FTO单元的电学特性 | 第39-42页 |
| 2.4.1 互补型阻变特性 | 第39-40页 |
| 2.4.2 开关电压分布 | 第40-41页 |
| 2.4.3 保持及重复特性 | 第41-42页 |
| 2.5 互补型阻变机制 | 第42-49页 |
| 2.5.1 导电机制 | 第42-47页 |
| 2.5.2 机理模型 | 第47-49页 |
| 2.6 本章小结 | 第49-50页 |
| 第3章 WO_x基阻变单元的防串扰特性 | 第50-78页 |
| 3.1 引言 | 第50-54页 |
| 3.2 WO_x基单元的制备 | 第54-55页 |
| 3.3 Pt/WO_x/FTO单元的电学性能调控 | 第55-61页 |
| 3.3.1 Pt/WO_x/FTO单元中的电学特性 | 第55-57页 |
| 3.3.2 WO_x薄膜的价态分析 | 第57-61页 |
| 3.4 Pt/WO_x/Pt单元的结构与成分表征 | 第61-64页 |
| 3.4.1 结构表征 | 第61页 |
| 3.4.2 价态分析 | 第61-64页 |
| 3.5 Pt/WO_x/Pt单元的电学特性 | 第64-71页 |
| 3.5.1 非线性转变特性 | 第64-65页 |
| 3.5.2 多级存储特性 | 第65-70页 |
| 3.5.3 电流、时间、温度的关联分析 | 第70-71页 |
| 3.6 基于氧空位的阻变机制分析 | 第71-76页 |
| 3.6.1 导电机制 | 第71-72页 |
| 3.6.2 氧空位的形成 | 第72-73页 |
| 3.6.3 阻温特性 | 第73-76页 |
| 3.7 本章小结 | 第76-78页 |
| 第4章 Pt/Cu_2O/WO_x/FTO单元的防串扰特性 | 第78-98页 |
| 4.1 引言 | 第78-84页 |
| 4.2 Pt/Cu_2O/WO_x/FTO单元的制备 | 第84-85页 |
| 4.3 Cu_2O/WO_x异质结构的微观表征 | 第85-87页 |
| 4.3.1 结构表征 | 第85-86页 |
| 4.3.2 元素分析 | 第86-87页 |
| 4.4 Pt/Cu_2O/WO_x/FTO单元的电学特性 | 第87-90页 |
| 4.4.1 阻变特性 | 第87-88页 |
| 4.4.2 重复特性 | 第88-89页 |
| 4.4.3 保持特性 | 第89-90页 |
| 4.5 理论集成密度的计算 | 第90-92页 |
| 4.5.1 计算模型与方法 | 第90-92页 |
| 4.5.2 集成密度计算 | 第92页 |
| 4.6 Cu_2O/WO_x异质结构的阻变机理模型 | 第92-97页 |
| 4.6.1 1X1R结构的转变特性与电压操作 | 第92-94页 |
| 4.6.2 Cu_2O/WO_x异质结构的阻变机制 | 第94-97页 |
| 4.7 本章小结 | 第97-98页 |
| 第5章 Pt/WO_x/Pt单元的总剂量效应研究 | 第98-109页 |
| 5.1 引言 | 第98页 |
| 5.2 样品制备与辐射源的选择 | 第98-99页 |
| 5.3 辐照前后的电阻转变特性 | 第99-100页 |
| 5.4 辐照前后的器件参数分布 | 第100-104页 |
| 5.4.1 开、关电压值分布 | 第100-102页 |
| 5.4.2 高、低电阻值分布 | 第102-104页 |
| 5.5 辐照前后的状态保持特性 | 第104-106页 |
| 5.5.1 数据保持特性测试 | 第104-105页 |
| 5.5.2 预设单元阻值测试 | 第105-106页 |
| 5.6 辐照对阻变行为的影响 | 第106-107页 |
| 5.7 本章小结 | 第107-109页 |
| 第6章 总结与展望 | 第109-111页 |
| 6.1 全文总结 | 第109-110页 |
| 6.2 研究展望 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及专利 | 第126页 |
