| 摘要 | 第12-15页 |
| ABSTRACT | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第20-44页 |
| 1.1 KDP/DKDP晶体形态结构与性质 | 第20-23页 |
| 1.2 KDP/DKDP晶体的应用领域 | 第23-28页 |
| 1.2.1 激光核聚变(ICF)的发展 | 第23-26页 |
| 1.2.2 KDP/DKDP晶体的应用 | 第26-28页 |
| 1.3 KDP/DKDP晶体生长技术研究进展 | 第28-32页 |
| 1.3.1 传统降温法 | 第28-29页 |
| 1.3.2 点籽晶快速生长法 | 第29-32页 |
| 1.4 KDP/DKDP晶体残余应力研究进展 | 第32-35页 |
| 1.4.1 数值模拟法研究KDP/DKDP晶体残余应力 | 第32-33页 |
| 1.4.2 光弹法研究KDP/DKDP晶体残余应力 | 第33-34页 |
| 1.4.3 射线衍射法 | 第34-35页 |
| 1.5 本论文的主要研究目的和研究内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-44页 |
| 第二章 KDP/DKDP晶体生长 | 第44-64页 |
| 2.1 引言 | 第44-45页 |
| 2.2 籽晶对KDP晶体扇形界的影响 | 第45-46页 |
| 2.3 59°点籽晶定向快速生长KDP晶体 | 第46-51页 |
| 2.3.1 在不同温度区间中KDP晶体的定向生长 | 第46-49页 |
| 2.3.2 在不同pH值条件下KDP晶体的定向生长 | 第49-51页 |
| 2.4 59°点籽晶定向快速生长DKDP晶体 | 第51-58页 |
| 2.4.1 在正常晶架上定向生长DKDP晶体 | 第52-53页 |
| 2.4.2 在59°晶架上定向生长DKDP晶体 | 第53-54页 |
| 2.4.3 改变59°籽晶形状定向生长DKDP晶体 | 第54-58页 |
| 2.5 Z向点籽晶快速生长DKDP晶体 | 第58-60页 |
| 2.5.1 系列氘含量DKDP晶体的生长 | 第58-59页 |
| 2.5.2 溶液氘含量为80% DKDP晶体的生长 | 第59-60页 |
| 2.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第三章 KDP/DKDP晶体的生长机制研究 | 第64-94页 |
| 3.1 引言 | 第64-65页 |
| 3.2 59°定向生长KDP晶体柱面生长机制的AFM研究 | 第65-75页 |
| 3.2.1 σ为0.02条件下KDP晶体柱面的形貌研究 | 第66-68页 |
| 3.2.2 σ为0.04条件下KDP晶体柱面的形貌研究 | 第68-70页 |
| 3.2.3 生长丘模型的建立 | 第70-73页 |
| 3.2.4 空洞产生原因 | 第73-75页 |
| 3.3 pH值对定向生长KDP晶体微观形貌的影响 | 第75-80页 |
| 3.3.1 σ=0.01条件下KDP柱面形貌研究 | 第75页 |
| 3.3.2 σ=0.02条件下KDP柱面形貌研究 | 第75-76页 |
| 3.3.3 σ=0.04条件下KDP柱面形貌研究 | 第76-77页 |
| 3.3.4 pH值对生长台阶自由能的影响 | 第77-79页 |
| 3.3.5 生长机制与pH值、过饱和度的关系 | 第79-80页 |
| 3.4 ATR-IR实时研究DKDP结晶过程 | 第80-88页 |
| 3.4.1 KDP晶体的结晶过程研究 | 第80-82页 |
| 3.4.2 DKDP晶体的结晶过程研究 | 第82-88页 |
| 3.5 本章小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 第四章 DKDP晶体中氘分凝系数的研究 | 第94-116页 |
| 4.1 引言 | 第94-95页 |
| 4.2 中子粉末衍射原理简介 | 第95-96页 |
| 4.3 DKDP晶体的中子粉末衍射实验 | 第96-101页 |
| 4.3.1 实验结果 | 第97-99页 |
| 4.3.2 氘含量对晶体结构的影响 | 第99-100页 |
| 4.3.3 氘元素的分凝 | 第100-101页 |
| 4.4 DKDP晶体的拉曼,红外光谱 | 第101-106页 |
| 4.4.1 DKDP晶体的拉曼光谱 | 第101-104页 |
| 4.4.2 DKDP晶体中的红外光谱 | 第104-105页 |
| 4.4.3 拉曼与红外光谱测试氘含量的对比 | 第105-106页 |
| 4.5 过饱和度对DKDP晶体氘分凝系数的影响 | 第106-112页 |
| 4.5.1 快长(σ=0.04～0.06) DKDP晶体的分凝系数的测定 | 第106-109页 |
| 4.5.2 σ对DKDP晶体氘分凝系数的影响(D_s=80%) | 第109-112页 |
| 4.6 本章小结 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-116页 |
| 第五章 DKDP晶体中残余应力的中子衍射研究 | 第116-146页 |
| 5.1 引言 | 第116-117页 |
| 5.2 实验仪器及原理 | 第117-119页 |
| 5.2.1 衍射条件选择 | 第117-118页 |
| 5.2.2 样品的定位及衍射体积规范 | 第118-119页 |
| 5.3 残余应力的测定原理 | 第119-124页 |
| 5.3.1 胡克定律介绍 | 第119-121页 |
| 5.3.2 根据中子衍射峰测试单晶残余应变的原理 | 第121-124页 |
| 5.4 Z向点籽晶生长DKDP晶体的三维应力研究 | 第124-133页 |
| 5.4.1 各晶面中子衍射峰的测量及处理 | 第125-130页 |
| 5.4.2 无应力d_0值的测量 | 第130-131页 |
| 5.4.3 晶体应变、应力计算 | 第131-132页 |
| 5.4.4 晶体的微观应变 | 第132-133页 |
| 5.5 59°点籽晶定向生长DKDP晶体的残余应力研究 | 第133-137页 |
| 5.5.1 晶体宏观应力研究 | 第133-136页 |
| 5.5.2 晶体微观应变研究 | 第136-137页 |
| 5.6 宏观残余应力来源分析 | 第137-144页 |
| 5.6.1 氘含量的均匀性对残余应力的影响 | 第137-139页 |
| 5.6.2 热应力对残余应力的贡献 | 第139-141页 |
| 5.6.3 缺陷对残余应力的影响 | 第141-144页 |
| 5.7 本章小结 | 第144-145页 |
| 参考文献 | 第145-146页 |
| 第六章 温度对70%DKDP晶体结构和应力的影响 | 第146-164页 |
| 6.1 引言 | 第146页 |
| 6.2 温度对DKDP晶体结构的影响 | 第146-147页 |
| 6.3 中子衍射原位测试70% DKDP晶体的应力随温度的变化 | 第147-157页 |
| 6.3.1 DKDP晶体的热膨胀 | 第148-150页 |
| 6.3.2 Z向残余应力随着温度的变化 | 第150-154页 |
| 6.3.3 X向残余应力随着温度的变化 | 第154-157页 |
| 6.4 大尺寸70%DKDP三倍频晶片应力,应变分布 | 第157-162页 |
| 6.4.1 宏观应力分布 | 第159-160页 |
| 6.4.2 微观应变分布 | 第160-162页 |
| 6.5 本章小结 | 第162-163页 |
| 参考文献 | 第163-164页 |
| 第七章 结论与瞻望 | 第164-168页 |
| 7.1 本文的主要结论 | 第164-166页 |
| 7.2 本文的主要创新点 | 第166-167页 |
| 7.3 有待进一步研究的问题 | 第167-168页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第168-170页 |
| 致谢 | 第170-172页 |
| 附录1 | 第172-177页 |
| 附录2 | 第177-185页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第185页 |
