基于氮化镓器件的Boost PFC分析与设计
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-28页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 课题研究内容 | 第16-26页 |
| 1.2.1 功率因数校正概述 | 第16-17页 |
| 1.2.2 功率因数校正变换器分类 | 第17-19页 |
| 1.2.3 Boost PFC变换器研究概述 | 第19-26页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 氮化镓器件 | 第28-35页 |
| 2.1 功率MOSFET概述 | 第28-30页 |
| 2.1.1 功率MOSFET结构 | 第28-29页 |
| 2.1.2 功率MOSFET主要参数 | 第29-30页 |
| 2.2 GaN HEMT器件概述 | 第30-32页 |
| 2.3 GaN HEMT器件发展现状 | 第32-35页 |
| 第三章 Boost PFC分析与设计 | 第35-62页 |
| 3.1 Boost PFC变换器基本原理 | 第35-39页 |
| 3.1.1 Boost PFC的工作模态分析 | 第35-38页 |
| 3.1.2 功率因数校正的基本原理 | 第38-39页 |
| 3.2 主电路设计 | 第39-44页 |
| 3.2.1 电感设计 | 第40-41页 |
| 3.2.2 输出电容设计 | 第41-43页 |
| 3.2.3 开关器件的规格选择 | 第43-44页 |
| 3.3 Boost PFC损耗计算 | 第44-50页 |
| 3.3.1 整流桥损耗 | 第44-45页 |
| 3.3.2 二极管损耗 | 第45-46页 |
| 3.3.3 开关管损耗 | 第46-49页 |
| 3.3.4 电感损耗 | 第49-50页 |
| 3.3.5 其他损耗 | 第50页 |
| 3.4 损耗计算结果对比与分析 | 第50-62页 |
| 3.4.1 效率对比与分析 | 第50-54页 |
| 3.4.2 损耗分布对比与分析 | 第54-62页 |
| 第四章 控制回路设计 | 第62-71页 |
| 4.1 控制原理 | 第62-64页 |
| 4.2 小信号模型 | 第64-66页 |
| 4.3 电压环补偿电路设计 | 第66-71页 |
| 4.3.1 负载R_L变化 | 第68-69页 |
| 4.3.2 输入电压U_(in（rms）)变化 | 第69页 |
| 4.3.3 补偿电路设计流程 | 第69-71页 |
| 第五章 仿真与实验 | 第71-82页 |
| 5.1 仿真 | 第71-74页 |
| 5.1.1 仿真电路图 | 第71页 |
| 5.1.2 仿真结果分析 | 第71-74页 |
| 5.2 实验 | 第74-82页 |
| 5.2.1 实验原型机 | 第74-77页 |
| 5.2.2 实验波形图 | 第77-78页 |
| 5.2.3 实验测量结果 | 第78-82页 |
| 第六章 总结与展望 | 第82-83页 |
| 6.1 总结 | 第82页 |
| 6.2 展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第86-87页 |
