P型（CuS）x:（ZnS）1-x透明导电薄膜与ZnO异质结光电器件的制备
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 n型透明导电薄膜的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 p型透明导电薄膜的进展 | 第12页 |
| 1.4 本论文的主要内容及意义 | 第12-14页 |
| 第2章 透明导电薄膜的制备方法和表征手段 | 第14-24页 |
| 2.1 透明导电薄膜的制备方法 | 第14-18页 |
| 2.1.1 化学气相沉积法 | 第14-15页 |
| 2.1.2 真空反应蒸发法 | 第15页 |
| 2.1.3 磁控溅射法 | 第15-16页 |
| 2.1.4 激光脉冲沉积法 | 第16页 |
| 2.1.5 溶胶凝胶法 | 第16-17页 |
| 2.1.6 喷雾热分解法 | 第17页 |
| 2.1.7 离子束沉积法 | 第17-18页 |
| 2.1.8 化学浴沉积法 | 第18页 |
| 2.2 p型透明导电薄膜的表征方式 | 第18-22页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第18-20页 |
| 2.2.2 X射线衍射 | 第20-21页 |
| 2.2.3 吸收与透射 | 第21-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 p型透明导电薄膜的制备与性质 | 第24-36页 |
| 3.1 p型透明导电薄膜的制备 | 第24-26页 |
| 3.2 样品的形貌结构与光学性质 | 第26-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 ZnO纳米材料概述 | 第36-50页 |
| 4.1 ZnO纳米材料的基本性质 | 第36-38页 |
| 4.2 ZnO纳米材料的研究概况 | 第38-48页 |
| 4.2.1 光谱泵ZnO紫外激光器的研究 | 第38-42页 |
| 4.2.2 ZnO基发电机 | 第42-46页 |
| 4.2.3 ZnO基LED | 第46-47页 |
| 4.2.4 ZnO基探测器 | 第47-48页 |
| 4.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第5章 ZnO异质结光电器件的制备以及表征手段 | 第50-58页 |
| 5.1 ZnO纳米材料的制备方法 | 第50-54页 |
| 5.1.1 电化学法 | 第50-51页 |
| 5.1.2 水热法 | 第51-52页 |
| 5.1.3 化学气相沉积法（CVD） | 第52-53页 |
| 5.1.4 脉冲激光沉积法（PLD） | 第53页 |
| 5.1.5 分子束外延法（MBE） | 第53-54页 |
| 5.2 ZnO异质结光电器件的制备过程 | 第54页 |
| 5.3 ZnO异质结光电器件的表征手段 | 第54-57页 |
| 5.3.1 扫描电子显微镜（SEM） | 第54-55页 |
| 5.3.2 I-V曲线 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第6章 结论与展望 | 第58-62页 |
| 6.1 结论 | 第58-59页 |
| 6.2 展望 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第70-72页 |
| 指导教师及作者简介 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
