| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·光伏产业现状 | 第10-11页 |
| ·太阳能级单晶硅材料的制备 | 第11-14页 |
| ·区熔单晶硅 | 第12-13页 |
| ·直拉单晶硅 | 第13-14页 |
| ·P型单晶硅太阳能电池中的杂质 | 第14-17页 |
| ·碳元素 | 第14-15页 |
| ·氧元素 | 第15-16页 |
| ·其他金属元素 | 第16-17页 |
| ·太阳能电池原理与结构 | 第17-19页 |
| ·单晶硅太阳能电池光致衰减问题的研究背景 | 第19-20页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方案及测试仪器 | 第21-25页 |
| ·实验方案 | 第21页 |
| ·测试仪器 | 第21-25页 |
| ·少子寿命测试仪 | 第21-23页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR) | 第23页 |
| ·电流-电压（I-V）特性曲线测试仪 | 第23-24页 |
| ·热斑耐久测试仪 | 第24页 |
| ·SZT-90四探针测试仪 | 第24-25页 |
| 第三章 热处理对B,Ga共掺单晶硅的缺陷及少子寿命的影响 | 第25-51页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·实验过程 | 第25-31页 |
| ·B,Ga共掺单晶硅片的制备 | 第25-29页 |
| ·B,Ga共掺单晶硅片热处理过程 | 第29-31页 |
| ·热处理温度对B,Ga共掺杂单晶硅片O沉淀的影响 | 第31-37页 |
| ·热处理时间对B,Ga共掺单晶硅片O沉淀的影响 | 第37-45页 |
| ·热处理对B,Ga共掺单晶硅少子寿命的影响 | 第45-48页 |
| ·本章结论 | 第48-51页 |
| 第四章 B,Ga共掺单晶硅电池抑制光致衰减研究 | 第51-67页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·实验过程 | 第51-57页 |
| ·实验样品分组 | 第51-53页 |
| ·电池样品制备 | 第53-56页 |
| ·电学性能测试分析 | 第56页 |
| ·光电转换效率衰减测试分析 | 第56-57页 |
| ·不同电阻率的B,Ga共掺单晶硅片含O、C量分析 | 第57-58页 |
| ·不同电阻率B,Ga共掺单晶硅太阳能电池光伏特性分析 | 第58-61页 |
| ·B,Ga共掺单晶硅太阳能电池光致衰减研究 | 第61-64页 |
| ·B,Ga共掺与其他P型单晶硅太阳能电池光致衰减对比分析 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
