| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·课题研究的背景及意义 | 第8-9页 |
| ·半导体光催化原理 | 第9-10页 |
| ·半导体光催化活性的主要影响因素 | 第10-12页 |
| ·半导体的晶体结构 | 第10页 |
| ·半导体的能带结构 | 第10-11页 |
| ·半导体的粒径及比表面积 | 第11-12页 |
| ·提高半导体光催化性能的途径 | 第12-14页 |
| ·金属/非金属元素掺杂 | 第12-13页 |
| ·贵金属表面沉积 | 第13页 |
| ·半导体的复合 | 第13-14页 |
| ·表面氧缺陷的形成 | 第14页 |
| ·本论文涉及的几种光催化剂简介 | 第14-15页 |
| ·简单半导体ZnO | 第14-15页 |
| ·可见光型光催化剂Bi_2MoO_6 | 第15页 |
| ·本研究工作的主要内容及意义 | 第15-18页 |
| 第二章 实验部分 | 第18-26页 |
| ·实验药品 | 第18页 |
| ·实验相关仪器 | 第18-19页 |
| ·材料性能表征手段 | 第19-23页 |
| ·X射线衍射仪（XRD） | 第19页 |
| ·紫外-可见漫反射光谱仪（DRS） | 第19页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第19-20页 |
| ·高分辨透射电子显微镜（HRTEM） | 第20页 |
| ·场发射扫描电子显微镜（SEM） | 第20页 |
| ·拉曼光谱仪（Raman） | 第20页 |
| ·傅立叶红外光谱仪（FT-IR） | 第20-21页 |
| ·光致发光光谱仪（PL） | 第21页 |
| ·电子自旋共振仪（ESR） | 第21页 |
| ·光电化学系统 | 第21-22页 |
| ·光化学反应仪 | 第22-23页 |
| ·光催化材料的制备方法简述 | 第23页 |
| ·实验数据的处理 | 第23-26页 |
| 第三章 缺陷对ZnO光催化活性的影响 | 第26-38页 |
| ·引言 | 第26-27页 |
| ·实验部分 | 第27-28页 |
| ·缺陷ZnO光催化剂的制备 | 第27页 |
| ·光催化活性评价 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-36页 |
| ·ZnO、球磨样品与退火样品的形貌与结构 | 第28-33页 |
| ·ZnO、球磨样品与退火样品的光催化活性及光电流的评价 | 第33-35页 |
| ·缺陷对ZnO、球磨样品与退火样品光催化活性的影响机理 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 钼酸铋光催化剂的可控合成及性能研究 | 第38-48页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验部分 | 第38-39页 |
| ·Bi_2MoO_6光催化剂的制备 | 第38页 |
| ·光降解实验 | 第38-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-47页 |
| ·酸碱度对Bi_2MoO_6光催化剂形貌和结构的影响 | 第39-42页 |
| ·光学性质和光催化活性 | 第42-44页 |
| ·钼酸铋样品的光催化机理 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第62页 |
