| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| ·有机半导体材料 | 第10-20页 |
| ·有机半导体材料的分类 | 第11-17页 |
| ·有机半导体材料的发展现状 | 第17-20页 |
| ·晶体结构的理论预测 | 第20-26页 |
| ·晶体结构预测的主要方法 | 第21-24页 |
| ·晶体结构预测的具体步骤 | 第24-25页 |
| ·晶体结构预测的研究现状及主要问题 | 第25-26页 |
| ·本论文的意义以及研究内容 | 第26-29页 |
| ·选题意义 | 第26-27页 |
| ·研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 理论基础与计算方法 | 第29-39页 |
| ·分子模拟的主要理论计算方法 | 第29-35页 |
| ·分子力学方法 | 第29-31页 |
| ·量子力学方法 | 第31-32页 |
| ·碎片法(Fragment methods,QM与MM杂化方法) | 第32-35页 |
| ·有机半导体材料传输性能的理论计算方法 | 第35-39页 |
| ·电荷传输模型 | 第35-36页 |
| ·载流子传输参数计算 | 第36-39页 |
| 第三章 综述N型有机半导体材料的设计研究 | 第39-48页 |
| ·单分子性质调控 | 第39-41页 |
| ·引入卤素原子,氰基等强吸电子基团 | 第39-40页 |
| ·嵌入N原子 | 第40-41页 |
| ·引入二酰亚胺基团 | 第41页 |
| ·堆积结构的调控 | 第41-44页 |
| ·端位及侧位的烷基取代 | 第41-42页 |
| ·增大C/H比值 | 第42页 |
| ·增大分子间的相互作用力 | 第42-44页 |
| 附表 | 第44-48页 |
| 第四章 吸电子取代的TTF类N-型有机半导体材料的设计与传输性质的预测 | 第48-73页 |
| ·研究背景及内容 | 第48-52页 |
| ·单分子设计 | 第49-50页 |
| ·堆积结构的预测 | 第50-52页 |
| ·计算方法 | 第52-56页 |
| ·单分子 | 第52-53页 |
| ·晶体结构预测 | 第53-56页 |
| ·结果与讨论 | 第56-72页 |
| ·晶体结构预测 | 第56-65页 |
| ·单分子性质预测 | 第65-71页 |
| ·转移积分及迁移率 | 第71-72页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| 第五章 “十字形”并噻吩系列分子的电荷传输性质的理论研究 | 第73-81页 |
| ·研究背景及内容 | 第73-75页 |
| ·计算方法 | 第75-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-80页 |
| ·HOMO/LUMO,λ及IP | 第76-77页 |
| ·堆积结构 | 第77-79页 |
| ·转移积分及迁移率 | 第79-80页 |
| ·结论 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 攻读硕士学位期间的主要研究成果 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
