| 摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-18页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·RRAM技术发展趋势 | 第11-13页 |
| ·复杂氧化物 | 第13-15页 |
| ·简单氧化物 | 第15页 |
| ·简单氧化物中的HfO_2器件 | 第15-16页 |
| ·论文的研究内容及意义 | 第16-18页 |
| 第2章 器件的制备方法和实验仪器简单介绍 | 第18-27页 |
| ·存储器件单元的主要制备步骤 | 第18页 |
| ·SiO_2衬底清洗 | 第18页 |
| ·下电极制备 | 第18-20页 |
| ·电子束蒸发台介绍 | 第20-21页 |
| ·实验过程 | 第20页 |
| ·蒸发台设备介绍 | 第20-21页 |
| ·离子束溅射介绍 | 第21-24页 |
| ·光刻 | 第24-26页 |
| ·光刻的操作 | 第24页 |
| ·光刻设备介绍 | 第24-26页 |
| ·器件单元性能分析 | 第26-27页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第26页 |
| ·器件单元电学性能测试 | 第26-27页 |
| 第3章 Pt/HfO_2/Pt存储器件的分析 | 第27-33页 |
| ·HfO_2存储器件单元的制备 | 第27页 |
| ·不同Forming电压极性对开关表现的影响 | 第27-31页 |
| ·结论 | 第31-33页 |
| 第4章 Pt/TaO_x/HfO_2/Pt结构及阻态表现 | 第33-43页 |
| ·多阻态器件的阻态问题研究 | 第33页 |
| ·二元氧化物RRAM器件制备工艺及流程 | 第33-36页 |
| ·二元金属氧化物阻变存储器单元设计 | 第34-35页 |
| ·薄膜的制备 | 第35页 |
| ·Pt/TaO_x/HfO_2/Pt阻变存储器工艺流程 | 第35-36页 |
| ·Pt/TaO_x/HfO_2/Pt器件阻变机制分析 | 第36-39页 |
| ·Pt/TaO_x/HfO_2/Pt器件多阻态的均一性分析 | 第39-41页 |
| ·总结 | 第41-43页 |
| 第5章 Ti电极厚度对基于HfO_x器件存储性能的影响 | 第43-50页 |
| ·研究Ti电极厚度的目的与意义 | 第43页 |
| ·实验制备过程的基本步骤与参数 | 第43页 |
| ·器件的性能分析 | 第43-49页 |
| ·厚度为 5nm的Pt/Ti/HfO_x/Pt器件分析 | 第43-44页 |
| ·Ti层厚度对Pt/Ti/HfO_x/Pt器件阻变特性的影响 | 第44-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第6章 总结与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
