金属氧化物阻变存储效应及其机理研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1. 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·非挥发性存储技术简介 | 第9-14页 |
| ·传统浮栅Flash存储器 | 第10-11页 |
| ·纳米晶浮栅存储 | 第11页 |
| ·铁电存储器(FeRAM) | 第11-12页 |
| ·磁阻存储器(MRAM) | 第12-13页 |
| ·相变存储器(PRAM) | 第13-14页 |
| ·阻变存储器(RRAM)的研究概况 | 第14-19页 |
| ·RRAM的阻变特性分类 | 第15-17页 |
| ·RRAM的阻变机制 | 第17-19页 |
| ·研究意义及主要内容 | 第19-21页 |
| 2. 薄膜沉积技术与薄膜测试方法 | 第21-28页 |
| ·薄膜沉积技术 | 第21-26页 |
| ·磁控溅射设备介绍及原理 | 第21-23页 |
| ·真空镀膜 | 第23-25页 |
| ·其他薄膜沉积技术 | 第25-26页 |
| ·薄膜性能表征 | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜 | 第26页 |
| ·台阶仪 | 第26-27页 |
| ·阻抗分析仪(LCR) | 第27页 |
| ·数字源测试仪 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3. HFO_x材料阻变存储器的制备与研究 | 第28-42页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验方案 | 第28-30页 |
| ·实验结果与分析 | 第30-40页 |
| ·电学特征表征 | 第30-31页 |
| ·主要工艺参数对阻变特性的影响 | 第31-37页 |
| ·阻变机制 | 第37-38页 |
| ·空间电荷限制电流模型 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 4. SNO_x材料的阻变效应与研究 | 第42-52页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·实验方案 | 第43-44页 |
| ·实验结果与分析 | 第44-51页 |
| ·薄膜的阻变重复特性 | 第44-45页 |
| ·退火对Ⅰ-Ⅴ特性的影响 | 第45-46页 |
| ·薄膜材料的阻变机制 | 第46-48页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ特性曲线对测试温度的依赖性 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5. 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
