| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-17页 |
| ·低维半导体纳米材料的分类 | 第12-13页 |
| ·低维半导体纳米材料的物理特性 | 第13-14页 |
| ·低维半导体纳米材料的研究现状及应用前景 | 第14-15页 |
| ·本论文的选题背景及研究内容 | 第15-17页 |
| ·选题背景 | 第15-16页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 计算方法及其理论基础 | 第17-29页 |
| ·分子动力学模拟方法 | 第17-23页 |
| ·分子动力学基础理论 | 第18-22页 |
| ·分子动力学模拟的基本步骤 | 第22页 |
| ·LAMMPS 软件简介 | 第22-23页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第23-29页 |
| ·Hartree-Fork 近似 | 第24-25页 |
| ·密度泛函理论 | 第25-28页 |
| ·VASP 软件简介 | 第28-29页 |
| 第三章 CdSe 纳米线弹性性能的分子动力学模拟 | 第29-39页 |
| ·引言 | 第29-31页 |
| ·计算模型和方法 | 第31-32页 |
| ·计算结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·CdSe 纳米线的稳定性和弹性模量 | 第32-35页 |
| ·CdSe 纳米线的泊松比 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-39页 |
| 第四章 单壁碳纳米管（SWCNTs）作为高压纳米容器 | 第39-47页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第40-41页 |
| ·计算结果与讨论 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第五章 不同平面应变条件下 CdSe 纳米片的电子结构特性 | 第47-56页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第48-49页 |
| ·计算结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·能带结构和态密度 | 第50-51页 |
| ·电子局域函数和 Bader 电荷分析 | 第51-53页 |
| ·能量状态演变和能隙 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 Li 吸附在 SiC 纳米管上的电子结构研究 | 第56-73页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·理论模型和计算方法 | 第57-58页 |
| ·计算结果与讨论 | 第58-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第七章 总结与展望 | 第73-75页 |
| ·总结 | 第73-74页 |
| ·展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 攻读硕士期间主要的研究成果 | 第82页 |
