Co掺杂ZnO薄膜的制备及其对CH3COCH3响应的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-27页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·传感器概述 | 第10-11页 |
| ·气体传感器 | 第11-17页 |
| ·组成与结构 | 第11-13页 |
| ·技术参数 | 第13-15页 |
| ·气体传感器的分类 | 第15-17页 |
| ·金属氧化物半导体气敏传感器 | 第17-19页 |
| ·研究进展 | 第17-18页 |
| ·气敏机理 | 第18-19页 |
| ·ZnO薄膜气敏材料简介 | 第19-24页 |
| ·ZnO的性质与应用 | 第19页 |
| ·ZnO薄膜材料的制备方法 | 第19-22页 |
| ·ZnO薄膜的气敏原理 | 第22-24页 |
| ·丙酮传感材料的应用及研究现状 | 第24-26页 |
| ·本课题研究的内容及意义 | 第26-27页 |
| 第2章 实验部分 | 第27-36页 |
| ·实验仪器和试剂 | 第27-29页 |
| ·实验装置图 | 第29-31页 |
| ·制备ZnO薄膜的实验装置图 | 第29页 |
| ·气体制备装置图 | 第29-31页 |
| ·气体检测装置图 | 第31页 |
| ·实验过程 | 第31-36页 |
| ·Co掺杂ZnO薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·Co掺杂ZnO薄膜的表征 | 第32-33页 |
| ·Co掺杂ZnO薄膜气敏性的测量 | 第33-36页 |
| 第3章 结果与讨论 | 第36-51页 |
| ·制备ZnO薄膜 | 第36-42页 |
| ·沉积电压 | 第36-37页 |
| 3-1.2 沉积温度 | 第37-38页 |
| ·溶液浓度 | 第38页 |
| ·Co掺杂 | 第38-42页 |
| ·影响气体响应的因素 | 第42-45页 |
| ·Co掺杂量 | 第42-43页 |
| ·烧结温度 | 第43-44页 |
| ·工作温度 | 第44-45页 |
| ·传感器性能 | 第45-49页 |
| ·浓度-响应线性 | 第45-46页 |
| ·选择性 | 第46-47页 |
| ·重现性 | 第47-48页 |
| ·稳定性 | 第48-49页 |
| ·CH_3COCH_3的响应机理 | 第49-51页 |
| 第4章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
