| 中文摘要 | 第1-9页 |
| 英文摘要 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·存储器概述 | 第11-18页 |
| ·铁电随机存储器 | 第12-13页 |
| ·磁阻随机存储器 | 第13-15页 |
| ·相变随机存储器 | 第15-17页 |
| ·阻变随机存储器 | 第17-18页 |
| ·LiNbO_3概述 | 第18-19页 |
| ·LiNbO_3的物理性质 | 第18页 |
| ·LiNbO_3晶体的研究现状 | 第18-19页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5概述 | 第19-20页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5的物理性质 | 第19页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5晶体的研究现状 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究目的、意义和内容安排 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第26-34页 |
| ·铌酸锂单晶薄膜的加工与极化 | 第26-29页 |
| ·铌酸锂单晶薄膜的加工 | 第26页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第26-29页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5薄膜的制备及表征 | 第29-33页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第29-31页 |
| ·应力夹具和变温测试系统 | 第31-32页 |
| ·薄膜的结构核表面形貌表征 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 LiNbO_3晶体中SPM诱导铁电畴区的生长弛豫特性 | 第34-58页 |
| ·扫描极化条形畴区的生长弛豫特性 | 第34-48页 |
| ·探针扫描方向对扫描极化条形畴区的影响 | 第34-35页 |
| ·样品掺杂对扫描极化条形畴区的影响 | 第35-36页 |
| ·扫描极化条件对条形畴区生长特性的影响 | 第36-39页 |
| ·扫描极化条形畴区的弛豫特性 | 第39-40页 |
| ·样品厚度对扫描极化条形畴区的影响 | 第40-41页 |
| ·晶体的各向异性对扫描极化条形畴区的影响 | 第41-47页 |
| ·条形畴区间距对畴区独立性的影响 | 第47页 |
| ·网状畴区的制备 | 第47-48页 |
| ·定点脉冲极化畴区的相互作用 | 第48-54页 |
| ·准实心畴区的生长及相互作用 | 第48-52页 |
| ·环形畴区的生长及相互作用 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 外加机械应力对Ge_2Sb_2Te_5晶化转变的影响 | 第58-68页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5的应力效应研究现状 | 第58-60页 |
| ·外加机械应力对Ge_2Sb_2Te_5晶化行为的影响 | 第60-65页 |
| 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第68-70页 |
| ·工作总结 | 第68-69页 |
| ·研究展望 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间发表和待发表论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
