CF4/Ar/O2等离子体修饰熔石英元件研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·熔石英元件损伤行为及影响因素 | 第11-15页 |
| ·元件表面污染 | 第11页 |
| ·加工产生的缺陷 | 第11-12页 |
| ·亚表面损伤 | 第12-14页 |
| ·基底材料带来的损伤 | 第14-15页 |
| ·熔石英材料的表面处理工艺 | 第15-16页 |
| ·反应等离子体刻蚀含硅材料 | 第16-18页 |
| ·反应离子刻蚀概述 | 第16-17页 |
| ·反应离子刻蚀含 Si 材料现状 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第18-20页 |
| 2 基于熔石英元件的反应离子刻蚀技术及理论 | 第20-38页 |
| ·电感耦合等离子体源 | 第20-24页 |
| ·放电等离子的产生 | 第20页 |
| ·电感耦合等离子体概述 | 第20-22页 |
| ·ICP 放电模式转换 | 第22-24页 |
| ·基于熔石英材料的反应离子刻蚀机理 | 第24-28页 |
| ·CF_4气体刻蚀含硅材料的内在机制 | 第25-27页 |
| ·熔石英材料表面的刻蚀机理 | 第27-28页 |
| ·刻蚀后材料的表征内容及手段 | 第28-38页 |
| ·表面形貌和粗糙度 | 第28-32页 |
| ·化学成分和结构 | 第32-35页 |
| ·表面吸收和透过率 | 第35-38页 |
| 3 实验方案及流程 | 第38-42页 |
| ·刻蚀系统简介 | 第38-39页 |
| ·实验方案 | 第39-41页 |
| ·样品的制备 | 第39-40页 |
| ·等离子体诊断 | 第40页 |
| ·表面成分测试 | 第40页 |
| ·光学性能测试 | 第40-41页 |
| ·实验流程 | 第41-42页 |
| 4 不同气流量配比的刻蚀工艺研究 | 第42-53页 |
| ·Ar 流量对刻蚀过程的影响 | 第42-46页 |
| ·Ar 流量与刻蚀速率的相互关系 | 第42-43页 |
| ·Ar 流量对表面粗糙度的影响 | 第43-44页 |
| ·Ar 流量对表面形貌的影响 | 第44-46页 |
| ·O_2流量对刻蚀过程的影响 | 第46-50页 |
| ·O_2流量与刻蚀速率的相互关系 | 第46-47页 |
| ·O_2流量对表面粗糙度的影响 | 第47页 |
| ·O_2流量对表面形貌的影响 | 第47-50页 |
| ·CF_4流量对刻蚀影响 | 第50-53页 |
| ·CF_4流量与刻蚀速率的相互关系 | 第50-51页 |
| ·CF_4流量对表面粗糙度的影响 | 第51页 |
| ·CF_4等离子体的光谱诊断 | 第51-53页 |
| 5 熔石英材料表面刻蚀状态研究 | 第53-60页 |
| ·刻蚀过程对亚表面划痕演变的影响 | 第53-54页 |
| ·表面杂质污染的产生及转化过程研究 | 第54-58页 |
| ·Ce 元素 | 第54-55页 |
| ·Al 元素 | 第55-56页 |
| ·Fe 元素 | 第56-57页 |
| ·C 元素 | 第57-58页 |
| ·刻蚀后的表面吸收水平 | 第58-59页 |
| ·刻蚀对损伤性能的影响 | 第59-60页 |
| 6 结论与展望 | 第60-61页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
