| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| ·商用碳化硅器件发展近况 | 第10-18页 |
| ·碳化硅SBD | 第10-13页 |
| ·碳化硅MOSFET | 第13-15页 |
| ·碳化硅JFET | 第15-18页 |
| ·碳化硅JFET器件反向特性的研究现状 | 第18-19页 |
| ·本文主要的研究内容和工作 | 第19-21页 |
| 2 垂直型SiC JFET器件的静态性能 | 第21-28页 |
| ·被测器件信息 | 第21页 |
| ·垂直型SiC JFET器件的正向特性 | 第21-22页 |
| ·垂直型SiC JFET器件的逆向特性 | 第22-24页 |
| ·关于栅漏寄生二极管的问题 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 3 等效二极管的动态工作性能 | 第28-32页 |
| ·动态测试设计 | 第28-29页 |
| ·动态性能测试结果比较 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 4 在实际变换器工作模式下的SiC JFET器件 | 第32-44页 |
| ·桥臂测试电路实际 | 第32-34页 |
| ·死区时间内的工作模式 | 第34-37页 |
| ·同步整流应用和外部二极管选择 | 第37-38页 |
| ·反向恢复特性的研究 | 第38-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 损耗计算和实际变换器效率 | 第44-48页 |
| ·动态损耗比较 | 第44-47页 |
| ·变换器效率变化比较 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 6 基于JFET沟道原理的新型整流器件 | 第48-55页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·基于JFET沟道的势垒夹断二极管(Pinched Barrier Rectifier PBR) | 第49-50页 |
| ·仿真验证和优化设计 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |