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SOI基透明电极压控横向PIN光电二极管的研究

摘要第1-8页
Abstract第8-13页
插图索引第13-16页
附表索引第16-17页
第1章 绪论第17-34页
   ·课题研究背景第17-24页
     ·光电效应第17-19页
     ·硅光电二极管第19-23页
     ·光电器件的应用第23-24页
   ·国内外研究现状第24-31页
     ·SOI技术第24-29页
     ·光敏器件第29-30页
     ·透明电极第30-31页
   ·课题研究意义第31-32页
   ·论文主要内容与结构第32-34页
第2章 基本原理分析第34-56页
   ·PIN光电二极管第34-37页
     ·PIN光电二极管工作原理第34-35页
     ·特性分析第35-37页
   ·横向PIN光电二极管第37-40页
   ·双极场效应晶体管第40-42页
   ·第一性原理计算与密度泛函理论第42-48页
     ·多粒子体系Schrodinger方程第43-44页
     ·密度泛函理论第44-46页
     ·局域密度近似(LDA)第46页
     ·广义梯度密度近似(GGA)第46-48页
   ·SILVACO软件第48-52页
   ·实验制备与测试方法第52-55页
   ·本章小结第55-56页
第3章 透明电极设计及其制备研究第56-69页
   ·镧掺杂ZnS光电特性的第一性原理研究第57-65页
     ·CASTEP计算软件包第57页
     ·计算模型与方法第57-59页
     ·结果与讨论第59-65页
   ·ZnS薄膜的制备与测试第65-67页
     ·实验制备过程第66页
     ·测试与结果分析第66-67页
   ·本章小结第67-69页
第4章 LPIN PD-GTE的光电特性第69-92页
   ·部分耗尽SOI LPIN PD-GTE第69-74页
     ·栅极电压V_(GK)模型第69-71页
     ·数值计算与模拟分析第71-74页
   ·全耗尽SOILPIN PD-GTE第74-79页
     ·栅极电压V_(GK)模型第74-76页
     ·数值计算与模拟分析第76-79页
   ·全耗尽SOI LPIN PD-GTE光电特性第79-91页
     ·光电流特性第79-82页
     ·LPIN PD-GTE与LPIN PD的光电流特性比较第82-88页
     ·暗电流特性第88-90页
     ·光谱响应第90-91页
   ·本章小结第91-92页
第5章 LPIN PD-GTE的量子效率第92-106页
   ·量子效率的解析模型第92-99页
   ·结果与分析第99-104页
   ·本章小结第104-106页
第6章 LPIN PD-GTE的频率特性第106-121页
   ·LPIN PD-GTE的频率特性分析第106-107页
   ·LPIN PD-GTE的小信号模型第107-116页
   ·结果与分析第116-119页
   ·本章小结第119-121页
结论第121-124页
参考文献第124-132页
附录A 攻读博士学位期间所发表的学术论文目录第132-134页
附录B 攻读博士学位期间获得/参与的科研项目第134-135页
附录C 计算机模拟仿真文件第135-144页
致谢第144页

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