| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 插图索引 | 第13-16页 |
| 附表索引 | 第16-17页 |
| 第1章 绪论 | 第17-34页 |
| ·课题研究背景 | 第17-24页 |
| ·光电效应 | 第17-19页 |
| ·硅光电二极管 | 第19-23页 |
| ·光电器件的应用 | 第23-24页 |
| ·国内外研究现状 | 第24-31页 |
| ·SOI技术 | 第24-29页 |
| ·光敏器件 | 第29-30页 |
| ·透明电极 | 第30-31页 |
| ·课题研究意义 | 第31-32页 |
| ·论文主要内容与结构 | 第32-34页 |
| 第2章 基本原理分析 | 第34-56页 |
| ·PIN光电二极管 | 第34-37页 |
| ·PIN光电二极管工作原理 | 第34-35页 |
| ·特性分析 | 第35-37页 |
| ·横向PIN光电二极管 | 第37-40页 |
| ·双极场效应晶体管 | 第40-42页 |
| ·第一性原理计算与密度泛函理论 | 第42-48页 |
| ·多粒子体系Schrodinger方程 | 第43-44页 |
| ·密度泛函理论 | 第44-46页 |
| ·局域密度近似(LDA) | 第46页 |
| ·广义梯度密度近似(GGA) | 第46-48页 |
| ·SILVACO软件 | 第48-52页 |
| ·实验制备与测试方法 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第3章 透明电极设计及其制备研究 | 第56-69页 |
| ·镧掺杂ZnS光电特性的第一性原理研究 | 第57-65页 |
| ·CASTEP计算软件包 | 第57页 |
| ·计算模型与方法 | 第57-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-65页 |
| ·ZnS薄膜的制备与测试 | 第65-67页 |
| ·实验制备过程 | 第66页 |
| ·测试与结果分析 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第4章 LPIN PD-GTE的光电特性 | 第69-92页 |
| ·部分耗尽SOI LPIN PD-GTE | 第69-74页 |
| ·栅极电压V_(GK)模型 | 第69-71页 |
| ·数值计算与模拟分析 | 第71-74页 |
| ·全耗尽SOILPIN PD-GTE | 第74-79页 |
| ·栅极电压V_(GK)模型 | 第74-76页 |
| ·数值计算与模拟分析 | 第76-79页 |
| ·全耗尽SOI LPIN PD-GTE光电特性 | 第79-91页 |
| ·光电流特性 | 第79-82页 |
| ·LPIN PD-GTE与LPIN PD的光电流特性比较 | 第82-88页 |
| ·暗电流特性 | 第88-90页 |
| ·光谱响应 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第5章 LPIN PD-GTE的量子效率 | 第92-106页 |
| ·量子效率的解析模型 | 第92-99页 |
| ·结果与分析 | 第99-104页 |
| ·本章小结 | 第104-106页 |
| 第6章 LPIN PD-GTE的频率特性 | 第106-121页 |
| ·LPIN PD-GTE的频率特性分析 | 第106-107页 |
| ·LPIN PD-GTE的小信号模型 | 第107-116页 |
| ·结果与分析 | 第116-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| 结论 | 第121-124页 |
| 参考文献 | 第124-132页 |
| 附录A 攻读博士学位期间所发表的学术论文目录 | 第132-134页 |
| 附录B 攻读博士学位期间获得/参与的科研项目 | 第134-135页 |
| 附录C 计算机模拟仿真文件 | 第135-144页 |
| 致谢 | 第144页 |