| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-13页 |
| ·电子封装发展趋势 | 第8-9页 |
| ·3D SIP 技术简介 | 第9-11页 |
| ·本论文研究目的和组织结构 | 第11-13页 |
| 第二章 硅通孔3D IC 关键工艺介绍 | 第13-18页 |
| ·硅通孔制造 | 第13-16页 |
| ·晶圆减薄工艺 | 第16页 |
| ·晶圆到晶圆对准技术 | 第16页 |
| ·低温键合技术 | 第16-17页 |
| ·小结 | 第17-18页 |
| 第三章 面向存储器堆叠应用的集成方案 | 第18-23页 |
| ·晶圆堆叠的集成方案 | 第18-21页 |
| ·存储器堆叠的集成方案 | 第21-23页 |
| 第四章 硅通孔刻蚀 | 第23-44页 |
| ·DRIE 刻蚀和激光钻孔对比 | 第23-24页 |
| ·刻蚀工艺简介 | 第24-27页 |
| ·硅通孔刻蚀工艺优化 | 第27-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 第五章 晶圆低温键合及减薄技术研究 | 第44-48页 |
| ·晶圆到晶圆的低温键合 | 第44-45页 |
| ·晶圆的背面减薄 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第六章 总结和建议 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文及专利目录 | 第53页 |