| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 ZnO材料性质与国内外研究现状 | 第8-20页 |
| ·概述 | 第8页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第8-15页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·ZnO的能带结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第11-13页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO的其它性质 | 第14-15页 |
| ·ZnO基薄膜材料主要应用与研究现状 | 第15-19页 |
| ·ZnO基发光管与激光器 | 第15-16页 |
| ·ZnO基紫外探测器件 | 第16-18页 |
| ·ZnO光电阴极在微光器件中应用 | 第18-19页 |
| ·ZnO其它方面应用 | 第19页 |
| ·本论文的选题依据和主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 基于ZnO薄膜的紫外光电阴极理论研究 | 第20-24页 |
| ·光电阴极简介 | 第20页 |
| ·负电子亲和势光电阴极 | 第20-21页 |
| ·基于ZnO薄膜紫外光电阴极的理论研究 | 第21-24页 |
| ·光电阴极的光电发射物理过程 | 第21-22页 |
| ·ZnO光电阴极的理论研究 | 第22-23页 |
| ·ZnO光电阴极量子效率的研究 | 第23-24页 |
| 第三章 磁控溅射制备Si基ZnO薄膜 | 第24-36页 |
| ·实验所用设备和材料 | 第25页 |
| ·实验所用设备 | 第25页 |
| ·实验所用材料 | 第25页 |
| ·不同溅射电压下ZnO薄膜特性研究 | 第25-30页 |
| ·薄膜的结构特性 | 第25-28页 |
| ·薄膜的发光特性 | 第28页 |
| ·薄膜的厚度特性 | 第28-29页 |
| ·薄膜的Zn/O原子比例 | 第29-30页 |
| ·薄膜的电学特性 | 第30页 |
| ·不同溅射气体比下ZnO薄膜特性研究 | 第30-36页 |
| ·薄膜的结构特性 | 第30-32页 |
| ·薄膜的发光特性 | 第32-34页 |
| ·薄膜的厚度特性 | 第34-35页 |
| ·薄膜的Zn/O原子比例 | 第35页 |
| ·薄膜的电学特性 | 第35-36页 |
| 第四章 Si衬底引入Al_2O_3缓冲层制备ZnO薄膜 | 第36-40页 |
| ·Al_2O_3薄膜的性质与制备 | 第36-37页 |
| ·Al_2O_3薄膜的性质 | 第36-37页 |
| ·Al_2O_3薄膜缓冲层的制备 | 第37页 |
| ·引入Al_2O_3缓冲层后ZnO薄膜性质 | 第37-40页 |
| ·薄膜的结构性质 | 第37-38页 |
| ·薄膜的发光性质 | 第38-40页 |
| 第五章 Si衬底引入Ga_2O_3缓冲层制备ZnO薄膜 | 第40-46页 |
| ·引入Ga2O3缓冲层的优势 | 第40页 |
| ·从晶格匹配角度 | 第40页 |
| ·从制备光电阴极角度 | 第40页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的制备与性质 | 第40-43页 |
| ·Ga_2O_3缓冲层的制备 | 第40-41页 |
| ·Ga_2O_3缓冲层的性质 | 第41-43页 |
| ·引入Ga_2O_3后ZnO薄膜性质 | 第43-46页 |
| ·薄膜的结构性质 | 第43-44页 |
| ·薄膜的发光特性 | 第44-46页 |
| 第六章 总结 | 第46-48页 |
| ·完成的主要工作和成果 | 第46-47页 |
| ·未来工作展望 | 第47-48页 |
| 硕士期间参与的科研和发表的文章 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |