首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

碳基纳米材料和器件的第一原理研究与设计

摘要第1-4页
Abstract第4-6页
目录第6-8页
第一章 绪论第8-23页
   ·引言第8-10页
   ·碳基纳米材料与器件第10-13页
   ·一种全新的碳基纳米材料——石墨纳米带第13-21页
   ·第一原理计算方法第21-22页
   ·论文内容和安排第22-23页
第二章 理论基础与计算方法第23-49页
   ·第一原理方法第23-38页
     ·引言第23-24页
     ·Born-Oppenheimer近似第24-25页
     ·密度泛函理论(Density Functional Theory)第25-28页
     ·波函数的平面波基组(Plane Wave Basis Set)展开第28-29页
     ·赝势(Pseudopotential)方法第29-33页
     ·交换关联(Exchange-Correlation)函数第33-38页
   ·基于密度泛函的非平衡电子输运第38-46页
     ·引言第38页
     ·系统第38-39页
     ·非平衡密度矩阵第39-44页
     ·非平衡有效势第44-45页
     ·电导方程第45-46页
   ·计算软件程序第46-49页
     ·VASP(The Vienna ab initio Simulation Package)第46-48页
     ·ATK(Atomistix ToolKit)第48-49页
第三章 富勒烯纯碳分子器件的电子输运性质第49-61页
   ·引言第49页
   ·模型与计算方法第49-52页
     ·C_(20)和C_(70)模型分子第49-50页
     ·纯碳分子结体系的构建第50-51页
     ·计算方法第51-52页
   ·计算结果及讨论第52-59页
     ·基于C_(20)分子(链)的纯碳分子结的输运性质第52-56页
     ·基于C_(70)分子的纯碳分子结的输运性质第56-59页
     ·基于富勒烯分子的纯碳纳电子开关的实现和物理解释第59页
   ·本章小结第59-61页
第四章 石墨纳米带的基本电子学性质与缺陷效应第61-86页
   ·引言第61页
   ·石墨纳米带的基本电子学性质第61-65页
     ·手性分类和模型石墨纳米带的分类第61-63页
     ·armchair和zigzag型石墨纳米带的电子性质第63-65页
   ·拓扑缺陷对石墨纳米带电子学性质的影响第65-85页
     ·边缘空位缺陷第65-70页
     ·单空位缺陷第70-74页
     ·双空位缺陷第74-85页
   ·本章小结第85-86页
第五章 石墨纳米带的化学功能化第86-94页
   ·引言第86-88页
   ·COOH吸附对石墨纳米带电子学性质的影响第88-93页
     ·计算模型和方法第88页
     ·计算结果和讨论第88-93页
   ·基于缺陷石墨纳米带化学传感器的提出第93页
   ·本章小结第93-94页
第六章 基于石墨纳米带电子器件的计算设计第94-104页
   ·引言第94-95页
   ·T型结结构的石墨纳米带第95-101页
     ·模型与计算方法第95-97页
     ·计算结果与讨论第97-101页
   ·十字型结结构的石墨纳米带第101-103页
     ·模型与计算方法第101页
     ·计算结果与讨论第101-103页
   ·本章小结第103-104页
第七章 结论第104-106页
参考文献第106-119页
致谢第119-120页
个人简历、攻读学位期间主要的研究成果第120-122页

论文共122页,点击 下载论文
上一篇:量子点敏化纳晶薄膜电极的制备及光电转换性能
下一篇:岩土参数随机性分析与边坡稳定可靠度研究