硅基择优取向铌酸锶钡薄膜的磁控溅射沉积研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-29页 |
| ·铁电材料 | 第8-12页 |
| ·铁电材料铌酸锶钡的物理性能 | 第10-11页 |
| ·铌酸锶钡材料的应用 | 第11-12页 |
| ·铌酸锶系列薄膜的研究现状 | 第12-19页 |
| ·铌酸锶钡(SBN)薄膜 | 第12-14页 |
| ·钾钠铌酸锶钡(KNSBN) | 第14-15页 |
| ·钾铌酸锶钡(KSBN) | 第15-17页 |
| ·铌酸锶钙钠(SCNN) | 第17-19页 |
| ·ITO透明导电薄膜 | 第19-23页 |
| ·ITO薄膜的电学性质: | 第20-21页 |
| ·ITO薄膜的光学性质: | 第21页 |
| ·ITO薄膜的制备 | 第21-22页 |
| ·ITO薄膜作为铁电材料的电极的研究 | 第22-23页 |
| ·本文的研究内容和创新点 | 第23-29页 |
| 第二章 薄膜的制备及性能测试 | 第29-38页 |
| ·磁控溅射技术 | 第29-33页 |
| ·磁控溅射原理 | 第29-30页 |
| ·射频磁控溅射系统及工艺流程 | 第30-33页 |
| ·sol-gel制备法 | 第33-35页 |
| ·薄膜性质测试 | 第35-38页 |
| ·原子力显微镜 | 第35页 |
| ·X射线衍射分析 | 第35页 |
| ·透射光谱 | 第35页 |
| ·反射率的测量 | 第35-36页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ曲线的测量 | 第36-38页 |
| 第三章 SBN薄膜的制备和性能表征 | 第38-53页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·SBN薄膜的磁控溅射制备 | 第39-43页 |
| ·缓冲层KSBN薄膜的制备 | 第39-42页 |
| ·SBN薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-51页 |
| ·晶体结构分析 | 第43-48页 |
| ·表面形貌分析 | 第48-50页 |
| ·电学特性分析 | 第50-51页 |
| ·结论 | 第51-53页 |
| 第四章 ITO薄膜的制备及光学和电学特性的研究 | 第53-70页 |
| ·透明电极ITO薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·ITO薄膜的制备 | 第53-54页 |
| ·工艺参数对ITO薄膜光学和电学性能的影响 | 第54-65页 |
| ·衬底温度对ITO薄膜光学和电学性能的影响: | 第54-60页 |
| ·退火温度对ITO薄膜的光学和电学性能的影响 | 第60-63页 |
| ·工作气压对ITO薄膜的光学和电学性能的影响 | 第63-65页 |
| ·ITO薄膜的反射率的测量和红外波段透过率的测量 | 第65-66页 |
| ·ITO薄膜的晶体结构研究 | 第66-70页 |
| 第五章 总结与展望 | 第70-74页 |
| ·对已完成工作的总结 | 第70-71页 |
| ·存在的问题与发展方向 | 第71-74页 |
| ·关于改进溅射工艺的建议 | 第71页 |
| ·对下一步工作提出的建议 | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
