| 目录 | 第1-8页 |
| 论文摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 图片目录 | 第11-13页 |
| 表格目录 | 第13-14页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| ·纳米科学技术与纳米材料概述 | 第15-18页 |
| ·硅纳米线的研究现状 | 第18-25页 |
| ·硅纳米线的制备方法 | 第25-26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26页 |
| 第一章 参考文献 | 第26-31页 |
| 第二章 伽伐尼置换法制备硅纳米线的生长机理 | 第31-43页 |
| ·硅片表面处理与H-终止表面 | 第31-34页 |
| ·伽伐尼置换(Galvanic Displacement) | 第34-36页 |
| ·AgNO_3+HF溶液体系伽伐尼置换法生长硅纳米线的原理 | 第36-38页 |
| ·不同研究小组用AgNO_3+HF溶液体系生长硅纳米线结果 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第二章 参考文献 | 第40-43页 |
| 第三章 不同温度和光照下硅纳米线的制备 | 第43-59页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验部分 | 第44-45页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第44页 |
| ·硅片清洗 | 第44页 |
| ·实验步骤 | 第44-45页 |
| ·结果与讨论 | 第45-57页 |
| ·双面硅纳米线生长速率的比较 | 第45-46页 |
| ·不同温度对硅纳米线刻蚀的影响 | 第46-55页 |
| ·不同光照强度对硅纳米线刻蚀速率的影响 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57页 |
| 第三章 参考文献 | 第57-59页 |
| 第四章 温度和光照对硅纳米线电学性能的影响 | 第59-66页 |
| ·实验部分 | 第59-61页 |
| ·实验试剂及仪器 | 第59页 |
| ·电极的制作 | 第59-61页 |
| ·实验结果与讨论 | 第61-64页 |
| ·温度对硅纳米线电学性能的影响 | 第61-64页 |
| ·光照对硅纳米线电学性能的影响 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 参考文献 | 第65-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 硕士论文期间发表文章 | 第68页 |
