| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-18页 |
| ·半导体材料概述 | 第8-12页 |
| ·元素半导体 | 第9-10页 |
| ·化合物半导体 | 第10-11页 |
| ·半导体核辐射探测器 | 第11-12页 |
| ·CZT 核辐射探测器 | 第12-15页 |
| ·CdZnTe 材料 | 第12-14页 |
| ·CdZnTe 核辐射探测器研究现状 | 第14-15页 |
| ·论文选题思路和主要研究内容 | 第15-18页 |
| ·选题思路 | 第15-17页 |
| ·主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 CZT 晶体的表面处理 | 第18-41页 |
| ·CZT 晶体的切割 | 第18-19页 |
| ·CZT 晶体的研磨 | 第19-22页 |
| ·研磨设备 | 第20-21页 |
| ·磨料 | 第21页 |
| ·冷却剂 | 第21页 |
| ·CZT 晶片的研磨 | 第21-22页 |
| ·CZT 晶片的抛光 | 第22-28页 |
| ·CZT 晶片的机械抛光 | 第23-24页 |
| ·CZT 晶片的化学抛光及其效果分析 | 第24-28页 |
| ·CZT 晶体的化学腐蚀 | 第28-41页 |
| ·Nakagawa 腐蚀液 | 第30-33页 |
| ·Everson 腐蚀液 | 第33-35页 |
| ·Watson 腐蚀液 | 第35-36页 |
| ·EAg-I 腐蚀液 | 第36-38页 |
| ·HHKA 腐蚀液 | 第38-41页 |
| 3 CZT 晶体的表面钝化研究 | 第41-59页 |
| ·KOH-KCl 溶液钝化 | 第43-46页 |
| ·钝化对器件漏电流的影响 | 第43-44页 |
| ·表面钝化层的XPS 表征 | 第44-46页 |
| ·H202 溶液钝化 | 第46-51页 |
| ·钝化对CZT 样品表面形貌的影响 | 第46-47页 |
| ·钝化对CZT 探测器晶片漏电流的影响 | 第47-49页 |
| ·钝化处理对器件稳定性的影响 | 第49-51页 |
| ·NH_4F/H_2O_2 混合溶液钝化 | 第51-55页 |
| ·CZT 表面钝化层的XPS 微观表征 | 第51-53页 |
| ·钝化对漏电流的影响 | 第53-54页 |
| ·CZT 晶片表面形貌观察 | 第54-55页 |
| ·KOH-KCl 溶液+NH_4F/H_2O_2 溶液二步法钝化 | 第55-59页 |
| ·二步法表面钝化层的XPS 表征 | 第56-58页 |
| ·二步法钝化对漏电流的影响 | 第58-59页 |
| 4 总结 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| ·工作展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |