| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-19页 |
| 第1章 绪论 | 第19-31页 |
| ·选题背景与研究意义 | 第19-20页 |
| ·国内外研究现状及存在的问题 | 第20-29页 |
| ·硅橡胶憎水性丧失和恢复 | 第20-24页 |
| ·绝缘子电场分析 | 第24-26页 |
| ·绝缘子污闪模型 | 第26-29页 |
| ·本文的主要工作 | 第29-31页 |
| 第2章 动静态接触角自动计算系统的研究 | 第31-57页 |
| ·基于动态接触角的硅橡胶憎水性检测 | 第31-36页 |
| ·静态接触角 | 第31-32页 |
| ·动态接触角 | 第32页 |
| ·不同样本动、静态接触角测量效果的比较 | 第32-36页 |
| ·液滴边缘的识别和提取 | 第36-38页 |
| ·基于水平集的活动轮廓模型 | 第36-38页 |
| ·待拟合边缘的自动选取 | 第38页 |
| ·接触角算法 | 第38-45页 |
| ·圆拟合法 | 第38-39页 |
| ·椭圆拟合法 | 第39-41页 |
| ·多项式拟合法 | 第41页 |
| ·其他算法 | 第41页 |
| ·硅橡胶憎水性检测中算法的选择 | 第41-45页 |
| ·接触角计算软件的实现和使用 | 第45-48页 |
| ·边缘的识别 | 第46页 |
| ·计算结果的显示 | 第46-47页 |
| ·计算结果的存储 | 第47-48页 |
| ·应用效果 | 第48页 |
| ·憎水性检测时影响因素的研究 | 第48-55页 |
| ·试样介绍 | 第48-49页 |
| ·水珠体积的影响 | 第49-50页 |
| ·延迟时间的影响 | 第50-52页 |
| ·温度的影响 | 第52-53页 |
| ·水电导率的影响 | 第53页 |
| ·倾斜的影响 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第3章 交流电晕对硅橡胶憎水性丧失和恢复影响的研究 | 第57-75页 |
| ·试验系统的搭建和分析 | 第57-60页 |
| ·硬件系统 | 第57-59页 |
| ·软件系统 | 第59-60页 |
| ·不同电极等效性验证 | 第60页 |
| ·交流电晕后表面电荷的产生及影响 | 第60-63页 |
| ·电荷产生的表现及机理 | 第60-62页 |
| ·电荷对测量结果的影响及释放方法 | 第62-63页 |
| ·电晕对RTVHTV影响的比较 | 第63-67页 |
| ·试验的介绍 | 第63-64页 |
| ·HTV与RTVJl曾水性变化的比较 | 第64-65页 |
| ·电子扫描显微镜(SEM)分析结果 | 第65-67页 |
| ·温度和重复电晕对电晕导致憎水性变化的影响 | 第67-69页 |
| ·温度的影响 | 第67-68页 |
| ·电晕的影响 | 第68-69页 |
| ·浸泡导致憎水性变化的影响 | 第69-73页 |
| ·试验介绍 | 第69页 |
| ·憎水性丧失 | 第69-71页 |
| ·憎水性恢复 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第4章 不同憎水性下绝缘子电场分布的研究 | 第75-111页 |
| ·有限元法与ANSYS | 第76-77页 |
| ·绝缘子有限元分析影响因素的研究 | 第77-86页 |
| ·电场类型 | 第77-82页 |
| ·远场单元及面积 | 第82-85页 |
| ·轴对称情况 | 第85-86页 |
| ·有限元建模和分析的自动化 | 第86-89页 |
| ·建模的自动化 | 第86-87页 |
| ·计算结果导出的自动化 | 第87-88页 |
| ·结果分析的自动化 | 第88-89页 |
| ·RTV涂层对绝缘子电场分布的影响 | 第89-94页 |
| ·涂层对电场和电位分布的影响 | 第89-92页 |
| ·涂层厚度对沿面场强的影响 | 第92-93页 |
| ·涂层电阻率对沿面场强的影响 | 第93页 |
| ·涂层相对介电常数对沿面场强的影响 | 第93-94页 |
| ·亲水性时干燥带及其参数对绝缘子电场分布的影响 | 第94-104页 |
| ·建模及材料参数选择 | 第94-95页 |
| ·干燥带易产生区域的分析 | 第95页 |
| ·干燥带对电场和电位分布的影响 | 第95-98页 |
| ·干燥带参数对沿面场强的影响 | 第98-104页 |
| ·憎水性时分离水珠及其参数对绝缘子电场分布的影响 | 第104-109页 |
| ·建模及材料参数选择 | 第104页 |
| ·水珠对电场和电位分布的影响 | 第104-107页 |
| ·水珠参数对沿面场强的影响 | 第107-109页 |
| ·本章小结 | 第109-111页 |
| 第5章 不同憎水性下绝缘子交流污闪模型的分析 | 第111-127页 |
| ·Obenaus交流污闪模型 | 第111-112页 |
| ·交流污闪时Hampton判据适应性的分析 | 第112-118页 |
| ·Hampton判据的原理和误差分析 | 第112-113页 |
| ·不同因素对Hampton判据误差的影响 | 第113-116页 |
| ·人工污秽试验数据的分析 | 第116-118页 |
| ·亲水性绝缘子污闪电压影响因素的分析 | 第118-122页 |
| ·等效爬电距离的影响 | 第118-119页 |
| ·电弧数量的影响 | 第119-120页 |
| ·电弧恢复条件的影响 | 第120-121页 |
| ·污层形状的影响 | 第121-122页 |
| ·憎水性绝缘子污闪电压影响因素的分析 | 第122-126页 |
| ·憎水性时污闪模型 | 第122-123页 |
| ·等效爬电距离的影响 | 第123-124页 |
| ·电弧数量的影响 | 第124页 |
| ·电弧恢复条件的影响 | 第124-125页 |
| ·水带截面积和电导率的影响 | 第125-126页 |
| ·本章小结 | 第126-127页 |
| 第6章 结论及展望 | 第127-129页 |
| 结论 | 第127-128页 |
| 展望 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-135页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第135-137页 |
| 攻读博士学位期间参加的科研工作 | 第137-138页 |
| 致谢 | 第138-139页 |
| 作者简介 | 第139页 |