Si1-xGex薄膜的PECVD制备与Al诱导低温晶化
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·硅锗薄膜的性能研究 | 第10-16页 |
| ·SiGe材料的基本性质 | 第12-14页 |
| ·硅锗薄膜的优异特性 | 第14-16页 |
| ·硅锗薄膜的应用 | 第16-20页 |
| ·SiGe双极和Bi-CMOS技术 | 第17-18页 |
| ·SiGe在无线通信中的应用 | 第18-20页 |
| ·本论文的指导思想 | 第20-21页 |
| 本章小结 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-23页 |
| 第二章 多晶硅锗薄膜的制备与结构表征 | 第23-38页 |
| ·多晶硅锗薄膜的制备 | 第23-28页 |
| ·溅射法 | 第23-24页 |
| ·蒸发法 | 第24-25页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第25-27页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PEVCD) | 第27-28页 |
| ·多晶硅锗薄膜的结构表征 | 第28-36页 |
| ·X射线衍射 | 第28-30页 |
| ·拉曼散射 | 第30-33页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第33-35页 |
| ·原子力显微镜 | 第35-36页 |
| 本章小结 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 用PECVD制备非晶硅锗薄膜 | 第38-46页 |
| ·PECVD原理 | 第38-41页 |
| ·等离子体概述 | 第38-40页 |
| ·电容耦合等离子体 | 第40-41页 |
| ·等离子体在化学气相沉积中的作用 | 第41页 |
| ·PECVD制备非晶硅锗薄膜 | 第41-45页 |
| ·PECVD设备 | 第41-42页 |
| ·非晶硅锗薄膜的生长机理 | 第42-43页 |
| ·PECVD制备薄膜的工艺参数 | 第43-45页 |
| 本章小结 | 第45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 铝诱导非晶硅锗薄膜晶化 | 第46-58页 |
| ·铝诱导薄膜晶化机理 | 第46-48页 |
| ·晶化机理 | 第46-48页 |
| ·技术优点 | 第48页 |
| ·退火对薄膜晶化的影响 | 第48-54页 |
| ·样品制备 | 第48-49页 |
| ·退火温度对薄膜晶化的影响 | 第49-53页 |
| ·退火时间对薄膜晶化的影响 | 第53-54页 |
| ·Ge含量对薄膜晶化的影响 | 第54-56页 |
| ·样品制备 | 第54-55页 |
| ·XRD分析 | 第55页 |
| ·拉曼分析 | 第55-56页 |
| 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 铝诱导锗薄膜低温晶化 | 第58-68页 |
| ·实验设计 | 第58-59页 |
| ·铝对薄膜晶化的诱导作用 | 第59-63页 |
| ·形貌分析 | 第60-61页 |
| ·晶化动力学研究 | 第61-63页 |
| ·退火对薄膜晶化的影响 | 第63-66页 |
| ·XRD分析 | 第63-64页 |
| ·拉曼分析 | 第64-66页 |
| 本章小结 | 第66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
