| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 厚靶T(d,n)~4He反应的中子产额、能谱和角分布的模拟计算 | 第10-28页 |
| §1.1 基本理论 | 第10-11页 |
| ·D-T反应的积分中子产额 | 第10页 |
| ·D-T反应的微分中子产额 | 第10-11页 |
| ·D-T反应的中子能量 | 第11页 |
| §1.2 模拟计算方法 | 第11-23页 |
| ·薄靶近似方法 | 第12-15页 |
| ·计算所需基础数据及参数 | 第15-23页 |
| §1.3 模拟结果 | 第23-28页 |
| ·积分中子产额 | 第23页 |
| ·能谱及角分布 | 第23-27页 |
| ·讨论 | 第27-28页 |
| 第二章 3×10~(12)强流中子发生器中子能谱和角分布的MCNP模拟 | 第28-33页 |
| §2.1 计算方法 | 第28-30页 |
| ·MCNP程序简介 | 第28页 |
| ·模拟条件 | 第28-30页 |
| §2.2 MCNP模拟结果及讨论 | 第30-33页 |
| 第三章 强流中子发生器辐射场中n-γ比的Monte Carlo模拟 | 第33-40页 |
| §3.1 计算方法 | 第33-35页 |
| ·模拟条件及中子、γ的注量率和能谱模拟 | 第33-34页 |
| ·中子与γ剂量计算方法 | 第34-35页 |
| §3.2 模拟结果及讨论 | 第35-40页 |
| ·中子和γ的注量率 | 第36页 |
| ·中子-γ比 | 第36-39页 |
| ·模拟结果与实验数据对比及讨论 | 第39-40页 |
| 第四章 中子大厅周围辐射剂量蒙特卡罗模拟 | 第40-49页 |
| §4.1 计算方法 | 第40-46页 |
| ·模拟条件及n、γ的注量率和能谱模拟 | 第40-44页 |
| ·中子与γ剂量计算方法 | 第44-46页 |
| §4.2 模拟结果及讨论 | 第46-49页 |
| 第五章 总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 发表文章及成果 | 第54页 |
