| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 前言 | 第6-8页 |
| 第一章 硅锗材料性质 | 第8-17页 |
| ·硅锗的基本性质 | 第8-17页 |
| ·硅锗合金的晶体结构和晶格常数 | 第8-10页 |
| ·硅锗合金的能带结构 | 第10-12页 |
| ·应变Si_(1-x)Ge_x合金层内的应力 | 第12-14页 |
| ·硅锗合金的光学性质 | 第14-17页 |
| ·Raman光谱 | 第14-15页 |
| ·光致发光谱 | 第15-17页 |
| 第二章 实验制备与表征手段 | 第17-25页 |
| ·样品制备方法 | 第17-20页 |
| ·激光辐照方法 | 第17-18页 |
| ·激光辐照电化学刻蚀技术 | 第18-19页 |
| ·退火技术 | 第19-20页 |
| ·分析测试方法 | 第20-25页 |
| ·扫描隧穿显微镜 | 第20页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第20-22页 |
| ·微区拉曼/荧光光谱仪 | 第22-25页 |
| 第三章 硅锗合金薄膜上的低维结构生成的研究 | 第25-31页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·样品制备 | 第25页 |
| ·样品低维结构形貌分析 | 第25-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第四章 硅锗合金薄膜上低维结构所对应光致荧光的研究 | 第31-35页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·样品的光致荧光光谱的分析 | 第31-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第五章 退火对合金薄膜上低维结构所对应光致荧光的影响 | 第35-38页 |
| ·实验 | 第35页 |
| ·实验结果及讨论 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第六章 硅锗合金薄膜上低维结构的光致荧光谱的物理模型研究 | 第38-45页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·量子受限-纳晶硅氧化物界面态综合模型 | 第38-44页 |
| ·小结 | 第44-45页 |
| 第七章 硅锗合金上低维结构的受激辐射的研究 | 第45-48页 |
| ·硅锗合金上低维结构的受激辐射的研究 | 第45-47页 |
| ·硅锗合金上低维结构激光的研究前景展望 | 第47-48页 |
| 总结 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 附录：发表文章以及所参与的课题研究 | 第54-55页 |
