| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-20页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·锰氧化物的基本性质 | 第8-13页 |
| ·锰氧化物的晶体结构 | 第8-11页 |
| ·锰氧化物的电子结构 | 第11-12页 |
| ·双交换原理 | 第12-13页 |
| ·类钙钛矿锰氧化物应用前景 | 第13-14页 |
| ·磁电阻传感器 | 第13页 |
| ·磁记录读出磁头 | 第13页 |
| ·磁电阻随机存储器 | 第13页 |
| ·磁致冷工质 | 第13-14页 |
| ·稀土锰氧化物的低场磁电阻效应(LFMR)的研究进展 | 第14-15页 |
| ·CaCu_xMn_(3-x)Mn_4O_(12)系列材料的研究概况 | 第15-19页 |
| ·本论文研究内容 | 第19-20页 |
| 2 材料制备及表征 | 第20-23页 |
| ·材料的制备 | 第20页 |
| ·X射线表征材料晶体结构的原理 | 第20-22页 |
| ·Rietveld全谱拟合的发展 | 第22-23页 |
| 3 CaCu_xMn_(3-x)Mn_4O_(12)的晶体结构及磁电阻性质的研究 | 第23-39页 |
| ·样品制备及实验测量方法 | 第24-29页 |
| ·样品的制备 | 第24页 |
| ·测试方法 | 第24-25页 |
| ·Rietveld全谱拟合的基本原理 | 第25-29页 |
| ·直流四探针法的基本原理 | 第29页 |
| ·实验结果及讨论 | 第29-39页 |
| ·CaCu_xMn_(3-x)Mn_4O_(12)的衍射实验和精修结果 | 第30-34页 |
| ·A位离子半径对样品结构的影响 | 第34-35页 |
| ·CaCu_xMn_(3-x)Mn_4O_(12)样品的CMR性质 | 第35-39页 |
| 4 结语 | 第39-40页 |
| 致谢 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
