摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第9-23页 |
1.1 研究工作的背景与意义 | 第9-11页 |
1.2 国内外研究历史与现状 | 第11-21页 |
1.2.1 器件方面 | 第11-13页 |
1.2.2 大信号模型方面 | 第13-18页 |
1.2.3 内匹配放大器方面 | 第18-21页 |
1.3 本论文的结构安排 | 第21-23页 |
第二章 金刚石基氮化镓放大器设计基础理论 | 第23-39页 |
2.1 Diamond-on-GaN HEMT器件结构与工作原理 | 第23-29页 |
2.1.1 Diamond-on-GaN HEMT器件结构 | 第23-25页 |
2.1.2 Diamond-on-GaN HEMT制备流程 | 第25-28页 |
2.1.3 Diamond-on-GaN HEMT工作原理 | 第28-29页 |
2.2 QPZD大信号建模理论 | 第29-34页 |
2.2.1 分区建模基本原理 | 第30-33页 |
2.2.2 基于区域划分的准物理大信号模型建模原理 | 第33-34页 |
2.3 微波放大器理论 | 第34-38页 |
2.3.1 引言 | 第34-35页 |
2.3.2 功率放大器基本指标 | 第35-37页 |
2.3.3 功率放大器分类 | 第37页 |
2.3.4 内匹配电路的基片 | 第37-38页 |
2.4 本章小结 | 第38-39页 |
第三章 微波金刚石氮化镓热电耦合大信号建模 | 第39-52页 |
3.1 引言 | 第39页 |
3.2 小信号等效电路模型 | 第39-45页 |
3.2.1 寄生参数提取 | 第40-42页 |
3.2.2 本征参数提取 | 第42-45页 |
3.2.3 小信号模型验证 | 第45页 |
3.3 基于区域划分的微波金刚石氮化镓热电偶大信号模型建模 | 第45-51页 |
3.3.1 与温度相关的热模型 | 第45-46页 |
3.3.2 可缩放的QPZD模型描述 | 第46-48页 |
3.3.3 模型验证 | 第48-51页 |
3.4 本章小结 | 第51-52页 |
第四章 内匹配功率放大器电路设计 | 第52-60页 |
4.1 功率放大器设计流程 | 第52-53页 |
4.2 偏置点的选择 | 第53页 |
4.3 确定器件的输入和输出阻抗 | 第53-54页 |
4.4 稳定网络设计 | 第54-55页 |
4.5 匹配网络设计 | 第55-57页 |
4.6 加工测试与分析 | 第57-59页 |
4.6.1 基片加工 | 第57页 |
4.6.2 外壳封装 | 第57-58页 |
4.6.3 整体装配与测试 | 第58-59页 |
4.7 本章小结 | 第59-60页 |
第五章 总结 | 第60-61页 |
5.1 全文总结 | 第60页 |
5.2 后续工作展望 | 第60-61页 |
致谢 | 第61-62页 |
参考文献 | 第62-68页 |
在学期间取得的与学位论文相关的研究成果 | 第68页 |