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CMOS射频C类功率放大器研究与设计

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·课题背景和研究意义第9-11页
   ·国内外现状第11-14页
   ·主要研究内容第14-15页
第二章 射频功率放大器原理第15-31页
   ·功率放大器的主要性能指标第15-17页
   ·功率放大器的工作原理第17-24页
     ·线性功率放大器第17-20页
     ·非线性功率放大器第20-24页
     ·功率放大器特性小结第24页
   ·C类功率放大器理论分析第24-31页
第三章 CMOS 工艺的挑战第31-36页
   ·晶体管击穿电压第31-32页
   ·高掺杂衬底第32页
   ·片上螺旋电感第32-36页
     ·片上螺旋电感模型第33-35页
     ·品质因数第35-36页
第四章 C类功率放大器设计第36-54页
   ·输出匹配网络第37-39页
   ·功率输出级第39-43页
     ·共源功率输出级第39-40页
     ·共源共栅功率输出级第40-43页
   ·增益驱动级电路第43-44页
   ·级间匹配电路第44-48页
   ·输入匹配电路第48-51页
   ·偏置电路第51-52页
     ·偏置产生电路第51-52页
     ·省电模式第52页
   ·总体电路结构第52-54页
第五章 仿真结果与分析第54-61页
   ·瞬态特性第54-55页
   ·输入匹配特性第55-56页
   ·功率特性第56-57页
   ·片上螺旋电感的影响第57-60页
   ·小结第60-61页
第六章 版图设计第61-67页
   ·单元版图第61-65页
   ·功率放大器电路的整体版图第65-67页
第七章 结论第67-68页
致谢第68-69页
参考文献第69-71页
攻读硕士期间取得的研究成果第71-72页

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