第一章 概述 | 第1-26页 |
·引言 | 第14-15页 |
·ZnO材料的基本性质 | 第15-17页 |
·ZnO的晶体结构 | 第15页 |
·ZnO的电学性质 | 第15-16页 |
·ZnO的光学性质 | 第16-17页 |
·ZnO薄膜的生长技术 | 第17-20页 |
·溅射(Sputtering)法 | 第17-19页 |
·溅射机理 | 第18-19页 |
·溅射过程 | 第19页 |
·脉冲激光沉积(PLD)法 | 第19页 |
·分子束外延(MBE)法 | 第19页 |
·金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法 | 第19页 |
·溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 | 第19-20页 |
·喷雾热分解(Spray Pyrolysis)法 | 第20页 |
·ZnO薄膜的应用 | 第20-21页 |
·透明导电薄膜 | 第20页 |
·GaN的缓冲层 | 第20-21页 |
·研究现状 | 第21-23页 |
·ZnO的P型掺杂和PN结的制作 | 第21-22页 |
·Al掺杂ZnO(ZAO)的透明导电薄膜 | 第22页 |
·利用ZnO制作紫外半导体激光器 | 第22-23页 |
·高质量ZnO薄膜的生长和现有器件的改进 | 第23页 |
·课题研究的意义和内容 | 第23-24页 |
·研究工作主要内容和技术路线 | 第24-26页 |
·研究工作主要内容 | 第24-25页 |
·研究工作技术路线 | 第25-26页 |
第二章 试样的制备及性能测试方法 | 第26-33页 |
·射频磁控溅射原理 | 第26-27页 |
·薄膜样品的制备 | 第27-29页 |
·射频磁控溅射系统 | 第27-28页 |
·实验原料 | 第28-29页 |
·薄膜样品的溅射制备过程 | 第29页 |
·薄膜样品的热处理 | 第29-30页 |
·薄膜样品的表征 | 第30-31页 |
·厚度测量 | 第30-31页 |
·X射线衍射仪(XRD) | 第31页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
·X射线光电子能谱仪(XPS) | 第31页 |
·薄膜样品的性能测量 | 第31-32页 |
·薄膜光学性能测量 | 第31-32页 |
·薄膜电学性能测量 | 第32页 |
·实验主要仪器设备 | 第32-33页 |
第三章 ZnO薄膜的制备及后处理影响 | 第33-51页 |
·制备工艺对ZnO薄膜性能的影响 | 第33-41页 |
·溅射功率的影响 | 第33-36页 |
·对薄膜结晶性能的影响 | 第33-35页 |
·对薄膜透光性能的影响 | 第35-36页 |
·溅射氧分压的影响 | 第36-38页 |
·对薄膜结晶性能的影响 | 第36-37页 |
·对薄膜透光性能的影响 | 第37-38页 |
·衬底温度的影响 | 第38-40页 |
·对薄膜结晶性能的影响 | 第38-39页 |
·对薄膜透光性能的影响 | 第39-40页 |
·衬底类型对ZnO薄膜结晶性能的影响 | 第40-41页 |
·退火处理的影响 | 第41-51页 |
·退火温度的影响 | 第41-47页 |
·衬底未预热时,对不同溅射功率下制备的薄膜性能影响 | 第41-45页 |
·衬底预热时,对不同溅射功率下制备的薄膜性能影响 | 第45-47页 |
·退火气氛的影响 | 第47-49页 |
·对薄膜结晶性能的影响 | 第47-48页 |
·对薄膜透光性能的影响 | 第48-49页 |
·退火处理对发光性能的影响 | 第49-51页 |
第四章 Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜的制备及后处理对薄膜性能影响 | 第51-63页 |
·引言 | 第51-52页 |
·Al掺杂ZnO薄膜(ZAO)的性能 | 第52-55页 |
·Al掺杂ZnO薄膜(ZAO)的晶体性能 | 第52-53页 |
·Al掺杂ZnO薄膜(ZAO)的透光性能 | 第53-54页 |
·Al掺杂ZnO薄膜(ZAO)的导电性能 | 第54-55页 |
·退火处理对ZAO薄膜性能的影响 | 第55-63页 |
·退火处理对ZAO薄膜晶体性能的影响 | 第55-61页 |
·XRD分析 | 第55-58页 |
·SEM分析 | 第58-59页 |
·XPS分析 | 第59-61页 |
·退火处理对ZAO薄膜透光性能的影响 | 第61页 |
·退火处理对ZAO薄膜导电性能的影响 | 第61-63页 |
第五章 全文结论 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-70页 |
攻读硕士期间发表论文 | 第70页 |