| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| §1.1 引言 | 第10-11页 |
| §1.2 Nafion膜的结构及Nafion修饰电极的制备 | 第11-13页 |
| ·Nafion膜的合成及Nafion膜的结构 | 第11页 |
| ·Nafion修饰电极的制备 | 第11-13页 |
| §1.3 Nafion修饰电极的性质 | 第13-15页 |
| ·选择性离子交换 | 第13页 |
| ·催化作用 | 第13-14页 |
| ·选择性透过 | 第14页 |
| ·膜内电荷转移和电子透过膜层的传输 | 第14-15页 |
| §1.4 Nafion修饰电极在分析化学中的应用 | 第15-19页 |
| ·在电化学伏安分析中应用 | 第15-16页 |
| ·在催化分析中应用 | 第16-17页 |
| ·在传感器方面的应用 | 第17页 |
| ·在液相色谱、原子吸收法中的应用 | 第17页 |
| ·Nafion膜修饰电极在分析化学中应用实例 | 第17-19页 |
| §1.5 本论文的主要工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 Nafion修饰玻碳电极伏安法测定痕量铟 | 第23-36页 |
| §2.1 引言 | 第23页 |
| §2.2 实验部分 | 第23-24页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第23-24页 |
| ·Nafion修饰电极的制备 | 第24页 |
| ·测定方法 | 第24页 |
| §2.3 结果与讨论 | 第24-34页 |
| ·In(Ⅲ)的线性扫描伏安曲线(LSV) | 第24-25页 |
| ·支持电解质及pH的影响 | 第25-27页 |
| ·Nafion修饰量的影响 | 第27-28页 |
| ·富集电位和时间的影响 | 第28-29页 |
| ·扫描速度的影响 | 第29-31页 |
| ·峰电流与In(Ⅲ)浓度的关系及检测限 | 第31页 |
| ·电极的重现性及再现性 | 第31-32页 |
| ·其他离子的影响 | 第32页 |
| ·实际水样中铟含量的测定 | 第32-34页 |
| 结论 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第三章 Nafion修饰玻碳电极伏安法测定痕量锡 | 第36-43页 |
| §3.1 引言 | 第36页 |
| §3.2 实验部分 | 第36-37页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第36页 |
| ·Nafion修饰电极的制备 | 第36-37页 |
| ·测定方法 | 第37页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第37-41页 |
| ·Sn(Ⅳ)的线性扫描伏安曲线(LSV) | 第37-38页 |
| ·支持电解质及pH的影响 | 第38页 |
| ·Nafion修饰量的影响 | 第38页 |
| ·富集电位和时间的影响 | 第38页 |
| ·扫描速度的影响 | 第38页 |
| ·峰电流与Sn(Ⅳ)浓度的关系及检测限 | 第38-39页 |
| ·电极的重现性及再现性 | 第39-40页 |
| ·其他离子的干扰 | 第40-41页 |
| ·实际水样中锡含量的测定 | 第41页 |
| §3.4 结论 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 碳纳米管／Nafion修饰玻碳电极伏安法测定左旋多巴 | 第43-54页 |
| §4.1 引言 | 第43页 |
| §4.2 实验部分 | 第43-44页 |
| ·主要仪器与试剂 | 第43-44页 |
| ·修饰电极的制备 | 第44页 |
| ·多壁碳纳米管-Nafion分散液的制备 | 第44页 |
| ·多壁碳纳米管-Nafion修饰电极的制备 | 第44页 |
| ·测定方法 | 第44页 |
| §4.3 结果与讨论 | 第44-52页 |
| ·L-dopa的循环伏安特性 | 第44-45页 |
| ·L-dopa的阳极溶出特性 | 第45-46页 |
| ·支持电解质的影响 | 第46页 |
| ·溶液pH值的影响 | 第46-47页 |
| ·碳纳米管-Nafion分散液修饰量的影响 | 第47-48页 |
| ·富集电位和时间的影响 | 第48页 |
| ·扫描速度的影响 | 第48-49页 |
| ·峰电流与L-dopa浓度的关系及检测限 | 第49页 |
| ·电极的重现性及再现性 | 第49-50页 |
| ·其他离子的影响 | 第50页 |
| ·实际样品中L-dopa含量的测定 | 第50-52页 |
| §4.4 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-55页 |
| 附录：硕士期间公开发表的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |