第一部分 | 第1-137页 |
第一章 ZnO薄膜生长及性质研究进展 | 第13-38页 |
·引言 | 第13-14页 |
·ZnO的基本性质 | 第14-23页 |
·ZnO薄膜的制备方法 | 第23-26页 |
·ZnO薄膜的掺杂研究 | 第26-30页 |
·ZnO基三元合金的研究 | 第30-31页 |
·总结和展望 | 第31-33页 |
参考文献 | 第33-38页 |
第二章 ZnO薄膜生长的MOCVD系统 | 第38-47页 |
·ZnO生长系统简介 | 第38-39页 |
·本论文使用的MOCVD系统的基本构造 | 第39-40页 |
·反应室 | 第40页 |
·激光干涉在线监测系统 | 第40-41页 |
·衬底 | 第41-44页 |
·源 | 第44-45页 |
·基本生长工艺 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-47页 |
第三章 Al_2O_3衬底上ZnO薄膜的生长 | 第47-68页 |
·无缓冲层ZnO薄膜的生长 | 第47-50页 |
·缓冲层生长温度的影响 | 第50-53页 |
·外延层生长温度的影响 | 第53-57页 |
·缓冲层Ⅵ/Ⅱ比的影响 | 第57-62页 |
·高温缓冲层 | 第62-66页 |
·小结 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-68页 |
第四章 MOCVD生长ZnO/Al_2O_3薄膜的在线激光测量研究 | 第68-81页 |
·薄膜生长在线激光测量简介 | 第68-70页 |
·薄膜干涉的基本理论 | 第70-71页 |
·干涉曲线的几种模型 | 第71-73页 |
·散射模型对ZnO/Al_2O_3生长干涉曲线的分析 | 第73-74页 |
·厚度涨落模型 | 第74-76页 |
·生长曲线的拟合分析 | 第76-79页 |
·小结 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-81页 |
第五章 ZnO/Al_2O_3薄膜的结构和光学特性研究 | 第81-111页 |
·ZnO/Al_2O_3中的结构缺陷 | 第81-93页 |
·波长色散对ZnO摇摆曲线的影响 | 第93-97页 |
·ZnO/Al_2O_3薄膜的光学特性 | 第97-109页 |
·小结 | 第109-110页 |
参考文献 | 第110-111页 |
第六章 退火对ZnO/Al_2O_3薄膜特性的影响 | 第111-127页 |
·引言 | 第111-112页 |
·样品生长条件 | 第112页 |
·退火气氛对发光特性的影响 | 第112-115页 |
·退火对结构特性的影响 | 第115-118页 |
·退火表面损伤层的厚度 | 第118-120页 |
·表面覆盖退火 | 第120-125页 |
·小结 | 第125-126页 |
参考文献 | 第126-127页 |
第七章 Si(111)上ZnO薄膜的生长及特性 | 第127-137页 |
·引言 | 第127-128页 |
·Si衬底/AlN缓冲层/ZnO外延膜的取向关系 | 第128-129页 |
·ZnO/AlN/Si(111)材料生长 | 第129-130页 |
·反射率曲线 | 第130-131页 |
·表面形貌 | 第131-132页 |
·结构特性 | 第132-134页 |
·发光特性 | 第134-135页 |
·小结 | 第135-136页 |
参考文献 | 第136-137页 |
第二部分 | 第137-154页 |
第八章 Si衬底GaN绿色发光二极管制备及特性 | 第137-154页 |
·引言 | 第137-139页 |
·Si衬底GaN基LED专利 | 第139-143页 |
·本文制备的Si衬底绿光LED的性能 | 第143-151页 |
·小结 | 第151-152页 |
参考文献 | 第152-154页 |
总结和展望 | 第154-156页 |
攻读博士学位期问发表的论文目录 | 第156-159页 |
致谢 | 第159页 |