| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| ·碳化硅材料及其应用 | 第8-12页 |
| ·碳化硅材料概述 | 第8-9页 |
| ·碳化硅的应用 | 第9-12页 |
| ·碳化硅材料制备历史、研究现状和发展趋势 | 第12-17页 |
| ·碳化硅材料的传统制备方法 | 第12-15页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第15-17页 |
| ·碳化硅行业所面临的问题 | 第17页 |
| ·研究背景及意义 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第18-19页 |
| ·研究思路 | 第19-21页 |
| ·多热源熔透法合成炉传热学分析及温度场数学模型的建立 | 第19页 |
| ·多热源熔透法合成炉传热传质规律研究 | 第19页 |
| ·多热源熔透法炉芯参数判定模型 | 第19-20页 |
| ·工业试验与分析讨论 | 第20-21页 |
| ·技术路线 | 第21-22页 |
| 2 多热源熔透法碳化硅合成炉温度场模型的建立和求解 | 第22-33页 |
| ·碳化硅合成炉内传热微分方程 | 第22-25页 |
| ·单个热源作用下导热微分方程的求解 | 第25-26页 |
| ·二热源熔透法合成炉的温度场分布计算 | 第26-30页 |
| ·二热源熔透法第一阶段(即二热源作用阶段)温度分布方程 | 第28-29页 |
| ·二热源熔透法炉内温度变化计算实例 | 第29-30页 |
| ·多热源熔透法合成炉的温度场分布计算 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 3 多热源熔透法合成炉温度场变化的规律研究 | 第33-46页 |
| ·单热源法、二热源法及二热源熔透法合成炉温度变化规律 | 第33-42页 |
| ·不同合成方法主面L1上温度变化规律 | 第37-38页 |
| ·不同合成方法面L1上炉芯左侧温度变化规律 | 第38-40页 |
| ·二热源法和二热源熔透法两炉芯之间温度变化规律 | 第40-41页 |
| ·不同合成方法面L2上温度变化规律 | 第41-42页 |
| ·合成炉内热流强度变化规律 | 第42-44页 |
| ·合成炉内温度梯度变化规律 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 炉芯参数判定模型 | 第46-56页 |
| ·炉芯形状 | 第47-48页 |
| ·炉芯间距 | 第48-50页 |
| ·炉芯数目 | 第50-53页 |
| ·炉芯排列方式 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 5 合成实验 | 第56-63页 |
| ·实验原料 | 第56-59页 |
| ·硅质原料 | 第56-57页 |
| ·碳质原料 | 第57-58页 |
| ·辅助原料及回炉料 | 第58-59页 |
| ·主要设备及工艺流程 | 第59-61页 |
| ·主要设备 | 第59-60页 |
| ·工艺流程 | 第60-61页 |
| ·合成实验 | 第61-62页 |
| ·二热源法合成碳化硅实验 | 第61-62页 |
| ·二热源熔透法合成碳化硅实验 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 6 实验结果与分析讨论 | 第63-81页 |
| ·Acheson法、二热源法和二热源熔透法合成效果 | 第63-74页 |
| ·三种合成方法合成炉内的温度场、热流场和温度梯度场 | 第63-65页 |
| ·二热源熔透法与二热源法合成SiC产品 | 第65-66页 |
| ·二热源熔透法与二热源法合成产物的XRD测试分析 | 第66-69页 |
| ·二热源熔透法与二热源法合成产物的SEM测试分析 | 第69-74页 |
| ·二热源熔透法合成时影响因素分析 | 第74-79页 |
| ·原料对产品的影响 | 第74-75页 |
| ·装炉设计及装炉工艺 | 第75-77页 |
| ·供电工艺 | 第77-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 7 结论 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 附录 | 第87页 |
