射频集成（RF IC）压控振荡器（VCO）的研究与设计
| 第一章 绪论 | 第1-13页 |
| ·研究射频集成压控振荡器的意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·本课题的研究内容 | 第11-12页 |
| ·论文组织结构 | 第12-13页 |
| 第二章 压控振荡器的基本原理 | 第13-29页 |
| ·振荡器概述 | 第13页 |
| ·振荡器的基本原理 | 第13-14页 |
| ·LC 振荡器 | 第14-16页 |
| ·负阻的概念 | 第16-17页 |
| ·电感电容压控振荡器 | 第17-20页 |
| ·VCO 的重要性能参数 | 第17-19页 |
| ·LC 压控振荡器的调节 | 第19-20页 |
| ·VCO 的数学模型 | 第20-21页 |
| ·相位噪声 | 第21-29页 |
| ·相位噪声的基本概念 | 第21-22页 |
| ·振荡器的品质因数 | 第22-24页 |
| ·Razavi 模型 | 第24-27页 |
| ·Hajimiri 模型 | 第27-29页 |
| 第三章 CMOS 射频集成电路中的器件 | 第29-42页 |
| ·硅基集成电感 | 第29-34页 |
| ·集成电感的分类 | 第29-31页 |
| ·集成平面螺旋型电感的等效模型 | 第31-33页 |
| ·集成电感品质因数的优化方法 | 第33-34页 |
| ·可变电容 | 第34-39页 |
| ·MOS 变容管 | 第34-36页 |
| ·反型与积累型 MOS 变容管 | 第36-39页 |
| ·MOS 晶体管的噪声模型 | 第39-42页 |
| ·MOS 晶体管中的热噪声 | 第39-40页 |
| ·MOS 晶体管中的闪烁噪声 | 第40-41页 |
| ·射频 MOS 晶体管的噪声模型 | 第41-42页 |
| 第四章 压控振荡器的电路设计与优化 | 第42-57页 |
| ·负阻的实现 | 第42-43页 |
| ·VCO 电路拓扑结构 | 第43-45页 |
| ·VCO 主体电路分析 | 第45-50页 |
| ·LC 谐振腔的有效电阻 | 第45-49页 |
| ·设计指标的综合考虑 | 第49-50页 |
| ·VCO 电路参数的设计与优化 | 第50-57页 |
| ·集成螺旋电感的选择 | 第50-52页 |
| ·NMOS 差分耦合对的设计 | 第52-56页 |
| ·相位噪声的理论值 | 第56-57页 |
| 第五章 压控振荡器的仿真结果与分析 | 第57-70页 |
| ·积累型 MOS 变容管 VCO 的仿真结果 | 第57-64页 |
| ·瞬态波形 | 第57-58页 |
| ·调谐特性 | 第58-60页 |
| ·相位噪声 | 第60-64页 |
| ·反型 MOS 变容管 VCO 的仿真结果 | 第64-68页 |
| ·VCO 的性能比较 | 第68-70页 |
| 第六章 压控振荡器的版图设计 | 第70-74页 |
| ·电磁兼容 EMC 原则 | 第70页 |
| ·各单元的具体版图设计 | 第70-73页 |
| ·VCO 电路的整体版图 | 第73-74页 |
| 第七章 结论 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78页 |
