| 第1章 引言 | 第1-29页 |
| ·热电效应介绍 | 第8-10页 |
| ·热电效应的应用及发展 | 第10-17页 |
| ·热电发电 | 第13-14页 |
| ·热电制冷 | 第14页 |
| ·热电微型器件 | 第14-17页 |
| ·二维热电微型器件 | 第14-16页 |
| ·三维热电微型器件 | 第16-17页 |
| ·材料的热电性能 | 第17-20页 |
| ·热电材料的Seebeck 系数 | 第17-18页 |
| ·热电材料的电导率 | 第18-19页 |
| ·热电材料的热导率 | 第19-20页 |
| ·热电材料的研究现状 | 第20-24页 |
| ·Bi_2Te_3 及其固溶体 | 第20-21页 |
| ·PbTe 及其他IV-VI 半导体化合物 | 第21页 |
| ·SiGe | 第21-22页 |
| ·金属硅化物 | 第22页 |
| ·具有Skutterudite(方钴矿)晶体结构的热电材料 | 第22-23页 |
| ·氧化物热电材料 | 第23页 |
| ·低维热电材料 | 第23-24页 |
| ·热电材料及器件的制备技术 | 第24-27页 |
| ·热电材料的制备技术 | 第24-25页 |
| ·热电材料的制备方法 | 第24-25页 |
| ·烧结方法 | 第25页 |
| ·热电薄膜器件的制备技术 | 第25页 |
| ·三维热电微型器件的制备技术 | 第25-27页 |
| ·精密机械切割法 | 第25页 |
| ·模板成型法 | 第25-27页 |
| ·电泳沉积工艺介绍 | 第27页 |
| ·选题背景及内容安排 | 第27-29页 |
| 第2章 Bi_2Te_3系热电材料的制备及性能表征 | 第29-44页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·Bi_2Te_3 热电材料的制备及性能表征 | 第29-35页 |
| ·制备过程 | 第29-30页 |
| ·实验结果与讨论 | 第30-35页 |
| ·SiC 分散的Bi_2Te_3 热电材料的制备及性能表征 | 第35-43页 |
| ·制备过程 | 第35页 |
| ·实验结果与讨论 | 第35-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第3章 Bi_2Te_3 热电厚膜的电泳沉积技术研究 | 第44-57页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·酒精溶液电泳沉积 | 第44-49页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·Bi_2Te_3 粉末悬浮液的制备 | 第44页 |
| ·电泳沉积过程 | 第44-45页 |
| ·沉积条件对沉积厚膜质量的影响 | 第45-49页 |
| ·基板与电极对沉积厚膜质量的影响 | 第45-47页 |
| ·电压与电流对沉积厚膜质量的影响 | 第47-49页 |
| ·丙酮溶液电泳沉积 | 第49-52页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·沉积条件对沉积厚膜质量的影响 | 第50-52页 |
| ·不同电压对沉积厚膜质量的影响 | 第50-51页 |
| ·不同电流对沉积厚膜质量的影响 | 第51-52页 |
| ·不同沉积时间对沉积厚膜质量的影响 | 第52页 |
| ·沉积厚膜的烧结 | 第52-55页 |
| ·常压气氛烧结 | 第52-53页 |
| ·快速退火炉烧结 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第4章 Bi_2Te_3 阵列的电泳沉积制备 | 第57-60页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·Bi_2Te_3 阵列的电泳沉积的制备 | 第57页 |
| ·实验结果 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
