合成碳硅石的生长工艺和宝石学特征研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-17页 |
| ·SiC 晶体材料概述 | 第10-11页 |
| ·SiC 的基本结构和性质 | 第11-14页 |
| ·SiC 晶体的结构特点 | 第11-12页 |
| ·SiC 晶体的物理和化学性质 | 第12-14页 |
| ·SiC 的生长方法简介 | 第14-15页 |
| ·Acheson 法和 Lely 法 | 第14-15页 |
| ·改进的 lely 法 | 第15页 |
| ·论文的主要研究内容和研究方法 | 第15-17页 |
| 第2章 合成碳硅石晶体的生长 | 第17-31页 |
| ·化学气相沉积法（CVD 法）的基本原理 | 第17页 |
| ·合成碳硅石晶体的生长工艺 | 第17-25页 |
| ·升华法晶体生长的设备 | 第17-19页 |
| ·SiC 晶体生长的相图 | 第19-21页 |
| ·晶体生长的过程 | 第21-22页 |
| ·晶体生长工艺参数 | 第22-25页 |
| ·合成碳硅石晶体的切割 | 第25-28页 |
| ·金刚石线切割机的结构 | 第25-27页 |
| ·线切割的工艺参数 | 第27-28页 |
| ·合成碳硅石中掺杂工艺简述 | 第28-29页 |
| ·黄色和绿色合成碳硅石晶体的形貌 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-31页 |
| 第3章 合成碳硅石晶体的结构和成分 | 第31-38页 |
| ·X 射线粉末衍射法测定晶体成分和多型 | 第31-35页 |
| ·X 射线衍射法的基本原理 | 第31-32页 |
| ·实验结果和分析 | 第32-35页 |
| ·晶体的红外光谱分析 | 第35-37页 |
| ·红外光谱分析的基本原理 | 第35页 |
| ·样品选取和测试条件 | 第35页 |
| ·测试结果 | 第35-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 合成碳硅石晶体的颜色成因分析 | 第38-43页 |
| ·紫外-可见光分光光度计的原理 | 第38页 |
| ·SiC 的能级结构和光谱特征 | 第38-40页 |
| ·合成碳硅石晶体颜色成因分析 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 合成碳硅石晶体的缺陷分析 | 第43-56页 |
| ·SiC 中的缺陷及常见类型 | 第43页 |
| ·缺陷的宏观形貌和拉曼光谱的分析 | 第43-47页 |
| ·缺陷的宏观形貌 | 第43-45页 |
| ·拉曼光谱分析缺陷的成分 | 第45-47页 |
| ·晶片的腐蚀 | 第47页 |
| ·体式显微镜观察晶体的缺陷 | 第47-49页 |
| ·晶体缺陷的特征和形态 | 第47-49页 |
| ·SEM 观察晶体缺陷 | 第49-55页 |
| ·晶体的层状生长模型 | 第49-50页 |
| ·场发射扫描电镜的原理 | 第50-51页 |
| ·实验结果 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第6章 合成碳硅石的宝石学特征 | 第56-62页 |
| ·SiC 宝石样品的外观特点 | 第56-57页 |
| ·显微镜法测定 SiC 的折射率 | 第57-58页 |
| ·SiC 晶体的硬度、密度 | 第58-60页 |
| ·SiC 的应力观察 | 第60页 |
| ·合成碳硅石的市场前景 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 附录 | 第69页 |
