| 摘要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-32页 |
| 1．1 半导体压电材料ZnO | 第9-15页 |
| 1．1．1 氧化锌(ZnO)的介绍 | 第9-11页 |
| 1．1．2 半导体材料ZnO的应用 | 第11-15页 |
| 1．2 铁电薄膜—铌酸锶钡(SBN) | 第15-21页 |
| 1．2．1 铁电—硅基微集成系统 | 第15-16页 |
| 1．2．2 铌酸锶钡单晶的介绍 | 第16-20页 |
| 1．2．3 铌酸锶钡薄膜的研究现状 | 第20-21页 |
| 1．3 导电材料氮化钛TiN | 第21-24页 |
| 1．4 本文的研究内容和创新点 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 第二章 薄膜的制备 | 第32-45页 |
| 2．1 薄膜的制备 | 第32-39页 |
| 2．1．1 制备方法 | 第32-38页 |
| 2．1．2 ZnO薄膜的制备流程(RF Sputtering) | 第38-39页 |
| 2．2 SBN薄膜的制备 | 第39-42页 |
| 2．3 TiN薄膜的制备 | 第42-43页 |
| 2．4 检测手段 | 第43页 |
| 参考文献： | 第43-45页 |
| 第三章 薄膜结构性能测试与结果分析 | 第45-63页 |
| 3．1 ZnO薄膜在Si(100)衬底上的生长 | 第45-55页 |
| 3．1．1 氧氩比(O_2/Ar)对ZnO薄膜结晶的影响 | 第45-47页 |
| 3．1．2 溅射功率对ZnO薄膜结晶的影响 | 第47-48页 |
| 3．1．3 衬底温度对ZnO薄膜结晶的影响 | 第48-50页 |
| 3．1．4 退火温度对ZnO薄膜结晶的影响 | 第50-55页 |
| 3．2 SBN薄膜在Si(100)衬底上的生长 | 第55-59页 |
| 3．2．1 射频溅射法制备SBN薄膜 | 第55-56页 |
| 3．2．2 射频溅射SBN中缓冲层的制备 | 第56-58页 |
| 3．2．3 利用KSBN为缓冲层制备SBN | 第58-59页 |
| 3．3 TiN薄膜在Si(100)衬底上的生长 | 第59-61页 |
| 3．3．1 氮氩比对TiN薄膜结晶的影响 | 第59-61页 |
| 3．3．2 直流溅射电流对TiN薄膜结晶的影响 | 第61页 |
| 参考文献： | 第61-63页 |
| 第四章 ZnO薄膜物理性能测试 | 第63-73页 |
| 4．1 ZnO薄膜的光学特性 | 第63-68页 |
| 4．2 ZnO波导损耗 | 第68-72页 |
| 参考文献： | 第72-73页 |
| 第五章 总结与展望 | 第73-76页 |
| 5．1 对已完成工作的总结 | 第73-74页 |
| 5．2 存在的问题与发展方向 | 第74-76页 |
| 5．2．1 关于改进溅射工艺的一些建议 | 第74页 |
| 5．2．2 物理性能方面的测试 | 第74-75页 |
| 5．2．3 ZnO、SBN、TiN薄膜的应用前景 | 第75-76页 |
| 硕士期间完成的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |