| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 导论 | 第10-13页 |
| ·半导体激光器的发展历程与现状 | 第10-11页 |
| ·半导体光放大器的发展历程与现状 | 第11-12页 |
| ·本论文解决的问题 | 第12-13页 |
| 第二章 量子阱激光器的主要特性分析 | 第13-25页 |
| ·量子阱的能量量子化 | 第13-16页 |
| ·量子阱的态密度 | 第16-17页 |
| ·量子阱激光器的透明载流子密度 | 第17-19页 |
| ·量子阱激光器的峰值增益系数 | 第19-22页 |
| ·量子阱激光器的微分增益系数 | 第22-24页 |
| ·总结 | 第24-25页 |
| 第三章 窄条形低阈值InGaAsP／InP量子阱激光器的结构优化 | 第25-36页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·条宽的优化 | 第25-27页 |
| ·腔长的优化 | 第27-32页 |
| ·阱数的优化 | 第32-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 第四章 1.3μm InGaAsP／InP量子阱激光器温度特性研究 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·阈值电流特征温度模型 | 第37-40页 |
| ·阱数效应实验研究 | 第40-41页 |
| ·激光器结构生长及材料测试 | 第41-44页 |
| ·脊形波导结构激光器的制备 | 第44-45页 |
| ·阈值电流的温度特性 | 第45-48页 |
| ·功率代价的实验结果 | 第48-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第五章 AlInAs电子阻挡层对激光器高温特性的改善 | 第50-59页 |
| ·引言 | 第50-51页 |
| ·器件结构与制作 | 第51-52页 |
| ·器件性能 | 第52-55页 |
| ·高温功率代价的理论研究 | 第55-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 第六章 1.34μm张应变量子阱激光器结构的优化 | 第59-67页 |
| ·引言 | 第59页 |
| ·张应变量子阱的生长和材料表征 | 第59-64页 |
| ·外延生长和材料结构 | 第59-60页 |
| ·应变 阱宽 垒层厚 度生长温度对材料特性的影响 | 第60-62页 |
| ·阱数和垒层高度的影响 | 第62-64页 |
| ·器件特性 | 第64-66页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| 第七章 1.31μm量子半导体阱光放大器的优化制作与性能分析 | 第67-79页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·结构设计 | 第68-69页 |
| ·SOA的生长与制作 | 第69-70页 |
| ·SOA的性能评估 | 第70-78页 |
| ·偏振分辨的ASE功率特性 | 第70-73页 |
| ·CW信号增益的偏振特性 | 第73-75页 |
| ·SOA组件的饱和输出功率 | 第75-76页 |
| ·SOA组件的噪声指数 | 第76-78页 |
| ·结论 | 第78-79页 |
| 第八章 总结 | 第79-80页 |
| 博士期间发表的论文 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-94页 |
| 致谢 | 第94页 |
