| 引言 | 第1-12页 |
| 第一章 文献综述 | 第12-30页 |
| ·铁电材料发展历史 | 第12-14页 |
| ·铁电材料基本特性及应用 | 第14-15页 |
| ·钙钛矿相铁电材料 | 第15-17页 |
| ·微波铁电材料 | 第17-24页 |
| ·微波可调原理及应用要求 | 第17-20页 |
| ·微波铁电材料发展的必然趋势 | 第20-22页 |
| ·微波可调铁电材料的研究现状 | 第22-24页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第24-28页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第25页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第25-26页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第26-27页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第27-28页 |
| ·本论文研究目的和意义 | 第28-30页 |
| 第二章 实验 | 第30-36页 |
| ·实验原料与仪器 | 第30-31页 |
| ·实验原料 | 第30页 |
| ·实验设备及器材 | 第30-31页 |
| ·测试仪器 | 第31页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第31-34页 |
| ·基板的清洗工艺 | 第31-32页 |
| ·溶胶先驱体的制备 | 第32-33页 |
| ·薄膜的制备 | 第33-34页 |
| ·薄膜的结构与性能测试 | 第34-36页 |
| 第三章 PST薄膜形成与制备研究 | 第36-45页 |
| ·PST薄膜的晶相形成 | 第36-38页 |
| ·热处理对PST薄膜晶体含量的影响 | 第38-41页 |
| ·热处理对PST薄膜表面形貌的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 不同PB含量对PB_xSR_(1-x)TIO_3系薄膜形成的影响 | 第45-61页 |
| ·PB含量对PST薄膜晶化温度的影响 | 第45-52页 |
| ·PB含量对PST晶体结构的影响 | 第52-56页 |
| ·PB含量对PST薄膜表面形貌的影响 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 PST薄膜的介电性能分析 | 第61-70页 |
| ·PST薄膜的可调谐性能 | 第61-66页 |
| ·PST薄膜的介电损耗 | 第66-68页 |
| ·PST薄膜的优化因子 | 第68页 |
| ·本章结论 | 第68-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |