| 第一章 文献综述 | 第1-17页 |
| ·PTCR材料的发展 | 第7页 |
| ·PTCR材料的特性和应用 | 第7-9页 |
| ·电阻－温度特性 | 第7-8页 |
| ·电压－电流特性 | 第8-9页 |
| ·电流－时间特性 | 第9页 |
| ·PTCR材料的分类 | 第9-11页 |
| ·BaTiO3系PTCR材料的理论解释 | 第11-17页 |
| ·Heywang模型和Jonker模型 | 第11页 |
| ·Daniels钡空位模型和叠加势垒模型 | 第11-14页 |
| ·Desu的界面析出模型 | 第14-16页 |
| ·晶界处电子陷阱的主要来源 | 第16-17页 |
| 第二章 课题背景及现状 | 第17-20页 |
| ·课题背景 | 第17页 |
| ·BaTiO3系PTCR材料低阻化的主要途径 | 第17-19页 |
| ·本课题的提出 | 第19-20页 |
| 第三章 实验部分 | 第20-23页 |
| ·原料 | 第20页 |
| ·工艺过程 | 第20-21页 |
| ·测试手段 | 第21-23页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第23-59页 |
| ·实验的理论基础 | 第23-39页 |
| ·试样PTC效应的失去和恢复机理 | 第23-25页 |
| ·金属/陶瓷复合PTCR材料的机理 | 第25-33页 |
| ·复合材料的电阻复合方式 | 第25-32页 |
| ·复合材料低阻化和PTC效应的机理 | 第32-33页 |
| ·影响复合材料室温电阻率和升阻比的因素 | 第33-39页 |
| ·陶瓷基质的电阻率和升阻比对复合材料电阻率和升阻比的影响 | 第33-35页 |
| ·金属相体积分数对复合材料电阻率和升阻比的影响 | 第35-36页 |
| ·金属相电阻率对复合材料电阻率和升阻比的影响 | 第36-38页 |
| ·结构因子对复合材料电阻率和升阻比的影响 | 第38-39页 |
| ·工艺条件对复合材料性能的影响 | 第39-51页 |
| ·烧成温度对复合材料室温电阻率的影响 | 第39-43页 |
| ·氧化处理制度对复合材料性能的影响 | 第43-46页 |
| ·成型压力对复合材料性能的影响 | 第46-48页 |
| ·烧成温度对复合材料升阻比的影响 | 第48-49页 |
| ·陶瓷粉球磨时间对复合材料性能的影响 | 第49-51页 |
| ·今后提高复合材料性能的设想 | 第51-52页 |
| ·工艺条件 | 第51页 |
| ·原料 | 第51-52页 |
| ·添加剂对复合材料性能的影响 | 第52-55页 |
| ·实验 | 第52页 |
| ·结果与结论 | 第52-55页 |
| ·玻璃添加剂对复合材料烧结性能的影响 | 第52-53页 |
| ·玻璃添加剂对复合材料电性能的影响 | 第53-55页 |
| ·金属/陶瓷复合材料的新工艺 | 第55-59页 |
| ·实验 | 第55页 |
| ·结果与结论 | 第55-59页 |
| ·金属Ni的生成 | 第55-57页 |
| ·新工艺的优点 | 第57-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |