中文摘要 | 第1-5页 |
英文摘要 | 第5-8页 |
第1章 绪论 | 第8-14页 |
1.1 选题意义 | 第8-9页 |
1.2 红外光纤的材料和结构 | 第9-11页 |
1.3 空芯光纤的国内外现状分析 | 第11-13页 |
1.4 本文主要研究的内容 | 第13-14页 |
第2章 衰减全内反射型空芯光纤传输机理 | 第14-42页 |
2.1 电磁波在理想介质与吸收介质交界面处的反射和折射 | 第14-25页 |
2.1.1 反射定律和折射定律 | 第15-16页 |
2.1.2 菲涅耳(Fresnel)公式及其讨论 | 第16-21页 |
2.1.3 全反射 | 第21-25页 |
2.2 光在介质中的色散和吸收 | 第25-31页 |
2.2.1 折射率的物理本质 | 第25-26页 |
2.2.2 金属材料对光的吸收 | 第26-28页 |
2.2.3 介质材料对光的吸收和色散 | 第28-31页 |
2.3 光在光纤中的传输 | 第31-40页 |
2.3.1 射线分析 | 第31-33页 |
2.3.2 阶跃光纤的模式理论 | 第33-38页 |
2.3.3 空芯光纤的模式理论 | 第38-40页 |
2.3.4 空芯光纤的传输性质 | 第40页 |
2.4 本章小结 | 第40-42页 |
第3章 多层介质膜光纤材料选择机理 | 第42-60页 |
3.1 基质选择 | 第42页 |
3.2 多层介质膜的反射与透射 | 第42-46页 |
3.2.1 单层介质膜的反射与透射 | 第42-44页 |
3.2.2 多层介质膜的反射与透射 | 第44-46页 |
3.3 空芯传能光纤的膜层的选择 | 第46-50页 |
3.4 碳化硅特点及膜层的制作方法 | 第50-59页 |
3.4.1 碳化硅的晶体结构和特性 | 第50-52页 |
3.4.2 碳化硅薄膜的制作工艺 | 第52-56页 |
3.4.3 CVD的基本问题 | 第56-59页 |
3.5 本章小结 | 第59-60页 |
第4章 多层介质膜传能光纤的研制 | 第60-71页 |
4.1 实验机理 | 第60-65页 |
4.1.1 基质选择 | 第60-61页 |
4.1.2 膜层选择 | 第61-64页 |
4.1.3 镀膜方法的确定 | 第64-65页 |
4.2 实验装置和实验步骤 | 第65-70页 |
4.2.1 CVD实验装置和步骤 | 第65-67页 |
4.2.2 MCVD实验装置和步骤 | 第67-70页 |
4.3 本章小结 | 第70-71页 |
第5章 多层介质膜传能光纤的实验测试分析 | 第71-79页 |
5.1 基于石英片的SiC薄膜制备 | 第71-75页 |
5.1.1 基于石英片的SiC薄膜的制备方案 | 第71-72页 |
5.1.2 基于石英片的SiC薄膜的数据分析 | 第72-75页 |
5.1.3 最佳工艺条件和误差分析 | 第75页 |
5.2 碳化硅内膜空芯传能光纤 | 第75-77页 |
5.2.1 CVD方法制备碳化硅内膜空芯传能光纤 | 第75-76页 |
5.2.2 MCVD方法制备碳化硅内膜空芯传能光纤 | 第76-77页 |
5.3 本章小结 | 第77-79页 |
结论 | 第79-81页 |
参考文献 | 第81-87页 |
攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第87-88页 |
致谢 | 第88页 |