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Si(Ge)/SiC/SiO2多层介质膜红外空芯传能光纤的研究

中文摘要第1-5页
英文摘要第5-8页
第1章 绪论第8-14页
 1.1 选题意义第8-9页
 1.2 红外光纤的材料和结构第9-11页
 1.3 空芯光纤的国内外现状分析第11-13页
 1.4 本文主要研究的内容第13-14页
第2章 衰减全内反射型空芯光纤传输机理第14-42页
 2.1 电磁波在理想介质与吸收介质交界面处的反射和折射第14-25页
  2.1.1 反射定律和折射定律第15-16页
  2.1.2 菲涅耳(Fresnel)公式及其讨论第16-21页
  2.1.3 全反射第21-25页
 2.2 光在介质中的色散和吸收第25-31页
  2.2.1 折射率的物理本质第25-26页
  2.2.2 金属材料对光的吸收第26-28页
  2.2.3 介质材料对光的吸收和色散第28-31页
 2.3 光在光纤中的传输第31-40页
  2.3.1 射线分析第31-33页
  2.3.2 阶跃光纤的模式理论第33-38页
  2.3.3 空芯光纤的模式理论第38-40页
  2.3.4 空芯光纤的传输性质第40页
 2.4 本章小结第40-42页
第3章 多层介质膜光纤材料选择机理第42-60页
 3.1 基质选择第42页
 3.2 多层介质膜的反射与透射第42-46页
  3.2.1 单层介质膜的反射与透射第42-44页
  3.2.2 多层介质膜的反射与透射第44-46页
 3.3 空芯传能光纤的膜层的选择第46-50页
 3.4 碳化硅特点及膜层的制作方法第50-59页
  3.4.1 碳化硅的晶体结构和特性第50-52页
  3.4.2 碳化硅薄膜的制作工艺第52-56页
  3.4.3 CVD的基本问题第56-59页
 3.5 本章小结第59-60页
第4章 多层介质膜传能光纤的研制第60-71页
 4.1 实验机理第60-65页
  4.1.1 基质选择第60-61页
  4.1.2 膜层选择第61-64页
  4.1.3 镀膜方法的确定第64-65页
 4.2 实验装置和实验步骤第65-70页
  4.2.1 CVD实验装置和步骤第65-67页
  4.2.2 MCVD实验装置和步骤第67-70页
 4.3 本章小结第70-71页
第5章 多层介质膜传能光纤的实验测试分析第71-79页
 5.1 基于石英片的SiC薄膜制备第71-75页
  5.1.1 基于石英片的SiC薄膜的制备方案第71-72页
  5.1.2 基于石英片的SiC薄膜的数据分析第72-75页
  5.1.3 最佳工艺条件和误差分析第75页
 5.2 碳化硅内膜空芯传能光纤第75-77页
  5.2.1 CVD方法制备碳化硅内膜空芯传能光纤第75-76页
  5.2.2 MCVD方法制备碳化硅内膜空芯传能光纤第76-77页
 5.3 本章小结第77-79页
结论第79-81页
参考文献第81-87页
攻读硕士学位期间所发表的论文第87-88页
致谢第88页

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