SiGe微波异质结双极晶体管中基区杂质外扩及阻挡层的研究
| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| 1．1 SiGe HBT的可靠性问题 | 第8-9页 |
| 1．2 本论文的主要工作 | 第9-10页 |
| 第二章 SiGe HBT参数退化模拟及试验 | 第10-23页 |
| 2．1 SiGe HBT退化机理的数值模拟 | 第10-15页 |
| 2．1．1 基区杂质外扩模型 | 第10-11页 |
| 2．1．2 基区杂质外扩对器件参数的影响 | 第11-15页 |
| 2．2 SiGe HBT可靠性试验 | 第15-23页 |
| 2．2．1 试验装置 | 第15页 |
| 2．2．2 试验条件与结果分析 | 第15-23页 |
| 第三章 SiGe HBT模型 | 第23-33页 |
| 3．1 输运方程 | 第23-25页 |
| 3．2 边界条件 | 第25-26页 |
| 3．3 Si_（1-x）Ge_x材料参数 | 第26-33页 |
| 3．3．1 能带结构及禁带变窄效应 | 第27页 |
| 3．3．2 有效本征载流子浓度模型 | 第27-28页 |
| 3．3．3 载流子迁移率模型 | 第28-31页 |
| 3．3．4 复合率模型 | 第31-33页 |
| 第四章 SiGe HBT基区杂质外扩数值模拟 | 第33-55页 |
| 4．1 典型的SiGe HBT结构 | 第33-34页 |
| 4．2 基区杂质外扩对电流增益β的影响 | 第34-38页 |
| 4．3 基区杂质外扩对特征频率fT的影响 | 第38-39页 |
| 4．4 SiGe本征层的阻挡作用 | 第39-43页 |
| 4．5 Si本征层的阻挡作用 | 第43-47页 |
| 4．6 本征层阻挡效果的分析 | 第47-49页 |
| 4．7 SiGe阻挡层和Si阻挡层效果的对比 | 第49-53页 |
| 4．8 本征阻挡层的优化 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
